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保定市(雄县、唐县、竞秀区、莲池区、曲阳县、清苑区、涞源县、定州市、阜平县、定兴县、安国市、满城区、易县、涞水县、顺平县、高碑店市、安新县、博野县、望都县、高阳县、容城县、蠡县、徐水区、涿州市)

成都市(大邑县、新津区、蒲江县、金堂县、武侯区、龙泉驿区、青羊区、都江堰市、彭州市、金牛区、新都区、邛崃市、锦江区、温江区、成华区、青白江区、郫都区、崇州市、简阳市、双流区)

无锡市(宜兴市、锡山区、新吴区、梁溪区、滨湖区、江阴市、惠山区)

来宾市(兴宾区、武宣县、忻城县、金秀瑶族自治县、合山市、象州县)  红河哈尼族彝族自治州(元阳县、弥勒市、绿春县、屏边苗族自治县、建水县、红河县、石屏县、金平苗族瑶族傣族自治县、开远市、个旧市、泸西县、蒙自市、河口瑶族自治县)

枣庄市(市中区、山亭区、薛城区、台儿庄区、峄城区、滕州市)

渭南市(华州区、大荔县、富平县、临渭区、合阳县、蒲城县、华阴市、潼关县、韩城市、白水县、澄城县)

抚州市(东乡区、崇仁县、资溪县、广昌县、黎川县、南丰县、金溪县、南城县、临川区、乐安县、宜黄县)

果洛藏族自治州(班玛县、达日县、甘德县、玛多县、玛沁县、久治县)  安庆市(望江县、迎江区、怀宁县、太湖县、大观区、桐城市、岳西县、潜山市、宿松县、宜秀区)

宜春市(袁州区、奉新县、高安市、宜丰县、丰城市、铜鼓县、靖安县、樟树市、万载县、上高县)

长沙市(望城区、岳麓区、宁乡市、长沙县、雨花区、浏阳市、芙蓉区、开福区、天心区)

哈密市(伊州区、巴里坤哈萨克自治县、伊吾县)

广元市(昭化区、剑阁县、利州区、旺苍县、苍溪县、朝天区、青川县)

六安市(霍邱县、金寨县、裕安区、叶集区、霍山县、舒城县、金安区)

泉州市(鲤城区、泉港区、金门县、惠安县、德化县、丰泽区、南安市、洛江区、安溪县、晋江市、石狮市、永春县)

淮南市(潘集区、大通区、八公山区、寿县、田家庵区、凤台县、谢家集区)

通化市(辉南县、二道江区、集安市、东昌区、梅河口市、柳河县、通化县)

山南市(琼结县、曲松县、浪卡子县、桑日县、加查县、隆子县、措美县、扎囊县、乃东区、贡嘎县、错那市、洛扎县)

丽江市(玉龙纳西族自治县、宁蒗彝族自治县、古城区、永胜县、华坪县)

淮安市(清江浦区、洪泽区、盱眙县、淮阴区、金湖县、淮安区、涟水县)

鄂尔多斯市(鄂托克前旗、伊金霍洛旗、达拉特旗、乌审旗、准格尔旗、康巴什区、东胜区、鄂托克旗、杭锦旗)

黄石市(西塞山区、下陆区、阳新县、铁山区、大冶市、黄石港区)

晋中市(太谷区、平遥县、昔阳县、左权县、榆次区、榆社县、祁县、寿阳县、灵石县、介休市、和顺县)

七台河市(桃山区、茄子河区、新兴区、勃利县)

大连市(西岗区、瓦房店市、沙河口区、旅顺口区、中山区、长海县、金州区、甘井子区、普兰店区、庄河市)

武汉市(江汉区、江夏区、洪山区、新洲区、东西湖区、江岸区、青山区、汉南区、汉阳区、蔡甸区、黄陂区、硚口区、武昌区)

江门市(鹤山市、蓬江区、台山市、新会区、开平市、江海区、恩平市)

辽阳市(辽阳县、宏伟区、灯塔市、文圣区、弓长岭区、太子河区、白塔区)

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广西壮族自治区

吕梁市(汾阳市、交口县、中阳县、石楼县、柳林县、交城县、方山县、离石区、孝义市、临县、文水县、岚县、兴县)

内江市(市中区、东兴区、资中县、威远县、隆昌市)

鸡西市(鸡冠区、鸡东县、虎林市、城子河区、恒山区、梨树区、麻山区、滴道区、密山市)  宜宾市(筠连县、叙州区、高县、屏山县、南溪区、翠屏区、长宁县、兴文县、珙县、江安县)

新乡市(卫辉市、辉县市、延津县、长垣市、凤泉区、原阳县、新乡县、封丘县、牧野区、获嘉县、红旗区、卫滨区)

包头市(土默特右旗、达尔罕茂明安联合旗、东河区、九原区、白云鄂博矿区、青山区、石拐区、昆都仑区、固阳县)

甘孜藏族自治州(新龙县、雅江县、德格县、九龙县、甘孜县、乡城县、巴塘县、色达县、得荣县、道孚县、康定市、理塘县、稻城县、泸定县、丹巴县、白玉县、炉霍县、石渠县)乌海市(海勃湾区、海南区、乌达区)

呼和浩特市(和林格尔县、新城区、赛罕区、玉泉区、回民区、土默特左旗、武川县、托克托县、清水河县)  东莞市

阜阳市(颍上县、颍东区、颍州区、阜南县、临泉县、颍泉区、界首市、太和县)

儋州市

周口市(川汇区、商水县、郸城县、项城市、西华县、扶沟县、鹿邑县、太康县、沈丘县、淮阳区)铜陵市(枞阳县、义安区、铜官区、郊区)

开封市(杞县、祥符区、兰考县、尉氏县、顺河回族区、禹王台区、龙亭区、通许县、鼓楼区)

盐城市(阜宁县、亭湖区、响水县、大丰区、东台市、滨海县、射阳县、盐都区、建湖县)

巴中市(南江县、恩阳区、平昌县、通江县、巴州区)

崇左市(大新县、凭祥市、龙州县、天等县、扶绥县、江州区、宁明县)

赣州市(宁都县、全南县、寻乌县、上犹县、会昌县、大余县、赣县区、章贡区、信丰县、瑞金市、于都县、定南县、安远县、崇义县、龙南市、石城县、南康区、兴国县)

资阳市(雁江区、乐至县、安岳县)

海北藏族自治州(门源回族自治县、海晏县、刚察县、祁连县)

黄南藏族自治州(泽库县、河南蒙古族自治县、尖扎县、同仁市)

邵阳市(双清区、城步苗族自治县、武冈市、邵阳县、邵东市、新宁县、洞口县、隆回县、大祥区、北塔区、新邵县、绥宁县)

恩施土家族苗族自治州(建始县、咸丰县、宣恩县、鹤峰县、巴东县、来凤县、恩施市、利川市)

忻州市(偏关县、五台县、静乐县、五寨县、神池县、保德县、宁武县、定襄县、忻府区、代县、河曲县、繁峙县、岢岚县、原平市)

郑州市(二七区、中牟县、荥阳市、巩义市、上街区、新密市、登封市、中原区、新郑市、金水区、惠济区、管城回族区)

南宁市(良庆区、上林县、西乡塘区、江南区、武鸣区、兴宁区、邕宁区、隆安县、宾阳县、青秀区、马山县、横州市)

台州市(玉环市、天台县、黄岩区、临海市、仙居县、路桥区、三门县、温岭市、椒江区)

廊坊市(安次区、霸州市、大城县、固安县、香河县、大厂回族自治县、文安县、永清县、三河市、广阳区)

常德市(桃源县、武陵区、汉寿县、澧县、鼎城区、津市市、石门县、临澧县、安乡县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。