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廊坊市(大城县、三河市、香河县、霸州市、文安县、广阳区、大厂回族自治县、安次区、永清县、固安县)

连云港市(东海县、连云区、赣榆区、灌云县、灌南县、海州区)

金华市(磐安县、武义县、金东区、浦江县、婺城区、兰溪市、永康市、东阳市、义乌市)

舟山市(定海区、岱山县、嵊泗县、普陀区)  邵阳市(隆回县、邵阳县、新邵县、大祥区、邵东市、双清区、武冈市、新宁县、城步苗族自治县、绥宁县、北塔区、洞口县)

伊犁哈萨克自治州(奎屯市、伊宁县、特克斯县、霍尔果斯市、尼勒克县、察布查尔锡伯自治县、昭苏县、伊宁市、霍城县、巩留县、新源县)

漳州市(龙文区、长泰区、漳浦县、诏安县、云霄县、平和县、南靖县、龙海区、华安县、芗城区、东山县)

河源市(连平县、龙川县、源城区、紫金县、东源县、和平县)

重庆市(梁平区、大足区、南川区、彭水苗族土家族自治县、涪陵区、城口县、潼南区、万州区、长寿区、丰都县、璧山区、云阳县、沙坪坝区、铜梁区、忠县、巫溪县、武隆区、永川区、酉阳土家族苗族自治县、巫山县、巴南区、开州区、南岸区、江津区、奉节县、大渡口区、江北区、秀山土家族苗族自治县、綦江区、北碚区、黔江区、渝中区、石柱土家族自治县、垫江县、渝北区、九龙坡区、合川区、荣昌区)  莆田市(仙游县、城厢区、荔城区、涵江区、秀屿区)

抚顺市(望花区、顺城区、新抚区、清原满族自治县、抚顺县、东洲区、新宾满族自治县)

鄂尔多斯市(鄂托克旗、东胜区、达拉特旗、伊金霍洛旗、杭锦旗、鄂托克前旗、乌审旗、准格尔旗、康巴什区)

遂宁市(大英县、安居区、射洪市、蓬溪县、船山区)

遵义市(红花岗区、道真仡佬族苗族自治县、务川仡佬族苗族自治县、汇川区、赤水市、播州区、余庆县、绥阳县、习水县、仁怀市、桐梓县、湄潭县、正安县、凤冈县)

海北藏族自治州(门源回族自治县、祁连县、刚察县、海晏县)

绍兴市(越城区、上虞区、柯桥区、嵊州市、诸暨市、新昌县)

肇庆市(怀集县、高要区、广宁县、德庆县、鼎湖区、四会市、端州区、封开县)

孝感市(汉川市、大悟县、安陆市、云梦县、孝昌县、孝南区、应城市)

郑州市(巩义市、二七区、登封市、荥阳市、上街区、惠济区、中牟县、管城回族区、新密市、新郑市、金水区、中原区)

大同市(广灵县、左云县、云州区、灵丘县、平城区、云冈区、阳高县、天镇县、新荣区、浑源县)

安阳市(北关区、林州市、殷都区、滑县、文峰区、汤阴县、内黄县、安阳县、龙安区)

阿里地区(噶尔县、普兰县、札达县、措勤县、日土县、革吉县、改则县)

辽源市(东丰县、东辽县、西安区、龙山区)

盐城市(大丰区、盐都区、射阳县、东台市、亭湖区、建湖县、响水县、滨海县、阜宁县)

泰州市(泰兴市、靖江市、兴化市、海陵区、高港区、姜堰区)

齐齐哈尔市(甘南县、依安县、克东县、克山县、建华区、泰来县、龙沙区、昂昂溪区、富裕县、铁锋区、梅里斯达斡尔族区、碾子山区、富拉尔基区、拜泉县、龙江县、讷河市)

新余市(分宜县、渝水区)

淄博市(高青县、桓台县、张店区、沂源县、周村区、博山区、临淄区、淄川区)

吕梁市(交城县、中阳县、方山县、文水县、孝义市、兴县、汾阳市、离石区、岚县、交口县、石楼县、柳林县、临县)

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武威市(天祝藏族自治县、民勤县、古浪县、凉州区)

恩施土家族苗族自治州(利川市、恩施市、鹤峰县、来凤县、建始县、巴东县、宣恩县、咸丰县)

吉安市(万安县、井冈山市、新干县、安福县、永新县、吉州区、泰和县、吉水县、峡江县、遂川县、吉安县、永丰县、青原区)

通化市(通化县、梅河口市、柳河县、集安市、二道江区、辉南县、东昌区)  淮安市(淮阴区、清江浦区、涟水县、淮安区、洪泽区、盱眙县、金湖县)

临夏回族自治州(广河县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、东乡族自治县、临夏县、和政县、临夏市、永靖县、康乐县)

铜仁市(碧江区、玉屏侗族自治县、印江土家族苗族自治县、万山区、沿河土家族自治县、石阡县、思南县、松桃苗族自治县、德江县、江口县)

白山市(长白朝鲜族自治县、浑江区、抚松县、靖宇县、江源区、临江市)内蒙古自治区

鹰潭市(贵溪市、月湖区、余江区)  通辽市(奈曼旗、扎鲁特旗、开鲁县、科尔沁左翼中旗、科尔沁区、霍林郭勒市、库伦旗、科尔沁左翼后旗)

景德镇市(昌江区、浮梁县、乐平市、珠山区)

亳州市(涡阳县、谯城区、利辛县、蒙城县)

池州市(石台县、东至县、贵池区、青阳县)克拉玛依市(克拉玛依区、白碱滩区、乌尔禾区、独山子区)

晋中市(昔阳县、灵石县、太谷区、榆次区、祁县、介休市、寿阳县、榆社县、左权县、和顺县、平遥县)

聊城市(莘县、冠县、临清市、东阿县、东昌府区、茌平区、高唐县、阳谷县)

信阳市(浉河区、淮滨县、平桥区、罗山县、新县、光山县、固始县、潢川县、息县、商城县)

营口市(西市区、鲅鱼圈区、站前区、盖州市、大石桥市、老边区)

宜春市(丰城市、宜丰县、万载县、上高县、铜鼓县、高安市、奉新县、袁州区、樟树市、靖安县)

内江市(隆昌市、资中县、东兴区、威远县、市中区)

兰州市(红古区、榆中县、永登县、皋兰县、安宁区、城关区、七里河区、西固区)

沈阳市(浑南区、和平区、于洪区、苏家屯区、沈北新区、新民市、辽中区、康平县、沈河区、大东区、皇姑区、法库县、铁西区)

攀枝花市(仁和区、米易县、东区、盐边县、西区)

临沧市(耿马傣族佤族自治县、云县、凤庆县、临翔区、永德县、沧源佤族自治县、镇康县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县)

固原市(西吉县、泾源县、原州区、隆德县、彭阳县)

鹤壁市(淇县、鹤山区、淇滨区、山城区、浚县)

铜川市(王益区、耀州区、印台区、宜君县)

兴安盟(阿尔山市、扎赉特旗、乌兰浩特市、科尔沁右翼前旗、突泉县、科尔沁右翼中旗)

湘西土家族苗族自治州(花垣县、吉首市、凤凰县、古丈县、永顺县、保靖县、泸溪县、龙山县)

怒江傈僳族自治州(福贡县、兰坪白族普米族自治县、贡山独龙族怒族自治县、泸水市)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。