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博尔塔拉蒙古自治州(温泉县、精河县、阿拉山口市、博乐市)

徐州市(丰县、云龙区、铜山区、泉山区、睢宁县、邳州市、新沂市、沛县、鼓楼区、贾汪区)

宁夏回族自治区

吉林市(磐石市、丰满区、永吉县、蛟河市、船营区、龙潭区、舒兰市、桦甸市、昌邑区)  韶关市(始兴县、乳源瑶族自治县、曲江区、仁化县、新丰县、乐昌市、浈江区、翁源县、南雄市、武江区)

枣庄市(峄城区、薛城区、市中区、滕州市、台儿庄区、山亭区)

玉林市(容县、北流市、玉州区、兴业县、博白县、陆川县、福绵区)

中卫市(沙坡头区、中宁县、海原县)滁州市(定远县、全椒县、明光市、琅琊区、南谯区、来安县、天长市、凤阳县)

伊春市(铁力市、乌翠区、大箐山县、伊美区、丰林县、汤旺县、嘉荫县、金林区、友好区、南岔县)  河池市(南丹县、环江毛南族自治县、凤山县、宜州区、东兰县、天峨县、都安瑶族自治县、罗城仫佬族自治县、大化瑶族自治县、巴马瑶族自治县、金城江区)

淮南市(八公山区、凤台县、潘集区、谢家集区、田家庵区、大通区、寿县)

内江市(威远县、东兴区、隆昌市、资中县、市中区)

自贡市(大安区、富顺县、荣县、贡井区、自流井区、沿滩区)

山南市(错那市、琼结县、乃东区、措美县、浪卡子县、隆子县、扎囊县、加查县、贡嘎县、洛扎县、桑日县、曲松县)

攀枝花市(东区、米易县、仁和区、盐边县、西区)

济南市(槐荫区、历下区、商河县、长清区、莱芜区、天桥区、历城区、钢城区、济阳区、平阴县、章丘区、市中区)

大庆市(龙凤区、让胡路区、大同区、肇源县、肇州县、红岗区、林甸县、萨尔图区、杜尔伯特蒙古族自治县)

汕头市(南澳县、潮阳区、濠江区、潮南区、金平区、澄海区、龙湖区)

柳州市(鹿寨县、柳城县、融安县、城中区、三江侗族自治县、鱼峰区、柳江区、柳北区、融水苗族自治县、柳南区)

五指山市(白沙黎族自治县、昌江黎族自治县、琼中黎族苗族自治县、文昌市、东方市、万宁市、屯昌县、乐东黎族自治县、保亭黎族苗族自治县、定安县、澄迈县、临高县、琼海市、陵水黎族自治县)

梅州市(梅县区、兴宁市、平远县、丰顺县、蕉岭县、梅江区、五华县、大埔县)

佛山市(禅城区、南海区、三水区、高明区、顺德区)

济源市

大兴安岭地区(漠河市、塔河县、呼玛县)

通化市(梅河口市、二道江区、辉南县、柳河县、东昌区、集安市、通化县)

福州市(长乐区、福清市、鼓楼区、晋安区、罗源县、平潭县、闽侯县、闽清县、永泰县、连江县、马尾区、仓山区、台江区)

阿勒泰地区(阿勒泰市、富蕴县、青河县、布尔津县、吉木乃县、福海县、哈巴河县)

大连市(长海县、旅顺口区、西岗区、瓦房店市、庄河市、金州区、中山区、普兰店区、沙河口区、甘井子区)

海西蒙古族藏族自治州(格尔木市、茫崖市、天峻县、乌兰县、都兰县、德令哈市)

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池州市(石台县、贵池区、东至县、青阳县)

景德镇市(昌江区、乐平市、浮梁县、珠山区)

鞍山市(台安县、海城市、立山区、千山区、岫岩满族自治县、铁东区、铁西区)

新乡市(辉县市、长垣市、新乡县、原阳县、牧野区、凤泉区、获嘉县、卫辉市、封丘县、卫滨区、红旗区、延津县)  兴安盟(科尔沁右翼中旗、扎赉特旗、乌兰浩特市、科尔沁右翼前旗、阿尔山市、突泉县)

天水市(张家川回族自治县、麦积区、秦安县、秦州区、清水县、武山县、甘谷县)

黔南布依族苗族自治州(三都水族自治县、龙里县、罗甸县、长顺县、荔波县、独山县、瓮安县、贵定县、都匀市、平塘县、惠水县、福泉市)

眉山市(彭山区、青神县、洪雅县、丹棱县、东坡区、仁寿县)西安市(临潼区、未央区、鄠邑区、阎良区、新城区、长安区、雁塔区、蓝田县、周至县、莲湖区、灞桥区、碑林区、高陵区)

南昌市(西湖区、南昌县、进贤县、青山湖区、青云谱区、东湖区、安义县、新建区、红谷滩区)  金华市(义乌市、浦江县、婺城区、永康市、东阳市、兰溪市、磐安县、金东区、武义县)

白山市(抚松县、江源区、长白朝鲜族自治县、临江市、浑江区、靖宇县)

河源市(连平县、紫金县、源城区、东源县、和平县、龙川县)

遂宁市(船山区、射洪市、大英县、蓬溪县、安居区)北京市(顺义区、延庆区、石景山区、怀柔区、门头沟区、丰台区、密云区、平谷区、昌平区、大兴区、通州区、东城区、朝阳区、房山区、海淀区、西城区)

张掖市(甘州区、高台县、临泽县、肃南裕固族自治县、民乐县、山丹县)

昌吉回族自治州(吉木萨尔县、奇台县、昌吉市、玛纳斯县、木垒哈萨克自治县、阜康市、呼图壁县)

南京市(玄武区、秦淮区、建邺区、浦口区、溧水区、江宁区、雨花台区、六合区、栖霞区、鼓楼区、高淳区)

阿拉善盟(阿拉善左旗、额济纳旗、阿拉善右旗)

钦州市(钦北区、浦北县、钦南区、灵山县)

淮安市(金湖县、洪泽区、清江浦区、涟水县、淮阴区、淮安区、盱眙县)

开封市(龙亭区、杞县、祥符区、鼓楼区、顺河回族区、通许县、尉氏县、兰考县、禹王台区)

驻马店市(西平县、上蔡县、确山县、平舆县、新蔡县、遂平县、驿城区、正阳县、泌阳县、汝南县)

运城市(闻喜县、稷山县、垣曲县、平陆县、临猗县、绛县、夏县、新绛县、芮城县、永济市、盐湖区、河津市、万荣县)

安康市(镇坪县、白河县、汉滨区、石泉县、紫阳县、旬阳市、宁陕县、平利县、汉阴县、岚皋县)

郑州市(惠济区、荥阳市、新密市、金水区、登封市、新郑市、中牟县、巩义市、中原区、管城回族区、上街区、二七区)

成都市(成华区、武侯区、金堂县、彭州市、简阳市、新津区、郫都区、邛崃市、龙泉驿区、温江区、大邑县、青羊区、蒲江县、金牛区、锦江区、青白江区、都江堰市、新都区、崇州市、双流区)

襄阳市(保康县、宜城市、南漳县、老河口市、樊城区、襄城区、枣阳市、谷城县、襄州区)

株洲市(芦淞区、茶陵县、醴陵市、攸县、炎陵县、渌口区、荷塘区、天元区、石峰区)

潍坊市(安丘市、寿光市、诸城市、潍城区、临朐县、昌乐县、寒亭区、青州市、昌邑市、奎文区、坊子区、高密市)

海口市(琼山区、龙华区、秀英区、美兰区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。