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阿拉善盟(阿拉善右旗、阿拉善左旗、额济纳旗)

吉林市(桦甸市、龙潭区、舒兰市、丰满区、昌邑区、磐石市、船营区、蛟河市、永吉县)  福州市(台江区、福清市、连江县、闽清县、平潭县、长乐区、晋安区、永泰县、鼓楼区、罗源县、马尾区、闽侯县、仓山区)

广元市(利州区、昭化区、朝天区、青川县、苍溪县、旺苍县、剑阁县)

大庆市(肇源县、杜尔伯特蒙古族自治县、林甸县、肇州县、龙凤区、红岗区、大同区、让胡路区、萨尔图区)

雅安市(天全县、名山区、雨城区、荥经县、芦山县、宝兴县、石棉县、汉源县)

汉中市(洋县、略阳县、镇巴县、汉台区、宁强县、勉县、西乡县、城固县、南郑区、佛坪县、留坝县)  淮南市(谢家集区、田家庵区、大通区、八公山区、潘集区、寿县、凤台县)

重庆市(北碚区、垫江县、酉阳土家族苗族自治县、云阳县、开州区、忠县、江津区、石柱土家族自治县、丰都县、潼南区、大足区、铜梁区、南岸区、大渡口区、彭水苗族土家族自治县、九龙坡区、城口县、渝中区、江北区、巫溪县、涪陵区、长寿区、璧山区、合川区、沙坪坝区、永川区、荣昌区、巴南区、梁平区、万州区、渝北区、武隆区、秀山土家族苗族自治县、奉节县、巫山县、綦江区、南川区、黔江区)

中山市

营口市(站前区、大石桥市、鲅鱼圈区、西市区、老边区、盖州市)

牡丹江市(阳明区、宁安市、东安区、海林市、穆棱市、绥芬河市、爱民区、西安区、林口县、东宁市)

聊城市(莘县、高唐县、东昌府区、冠县、临清市、东阿县、茌平区、阳谷县)

北海市(海城区、银海区、合浦县、铁山港区)

白山市(江源区、浑江区、靖宇县、长白朝鲜族自治县、临江市、抚松县)

运城市(河津市、绛县、新绛县、闻喜县、夏县、芮城县、临猗县、垣曲县、万荣县、平陆县、永济市、盐湖区、稷山县)

黑河市(爱辉区、嫩江市、北安市、五大连池市、孙吴县、逊克县)

西双版纳傣族自治州(勐海县、勐腊县、景洪市)

红河哈尼族彝族自治州(建水县、泸西县、开远市、蒙自市、石屏县、红河县、绿春县、弥勒市、河口瑶族自治县、个旧市、金平苗族瑶族傣族自治县、屏边苗族自治县、元阳县)

济宁市(梁山县、嘉祥县、微山县、汶上县、泗水县、邹城市、兖州区、鱼台县、曲阜市、金乡县、任城区)

海口市(龙华区、秀英区、美兰区、琼山区)

天津市(滨海新区、武清区、北辰区、河西区、红桥区、河东区、和平区、宝坻区、宁河区、南开区、东丽区、蓟州区、西青区、静海区、津南区、河北区)

嘉兴市(平湖市、桐乡市、秀洲区、南湖区、海盐县、海宁市、嘉善县)

宁德市(柘荣县、古田县、寿宁县、蕉城区、屏南县、霞浦县、周宁县、福鼎市、福安市)

连云港市(灌云县、海州区、连云区、东海县、灌南县、赣榆区)

潮州市(湘桥区、潮安区、饶平县)

通辽市(霍林郭勒市、扎鲁特旗、库伦旗、科尔沁区、科尔沁左翼后旗、科尔沁左翼中旗、开鲁县、奈曼旗)

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深圳市(光明区、坪山区、龙岗区、罗湖区、龙华区、宝安区、福田区、盐田区、南山区)

金华市(浦江县、武义县、兰溪市、东阳市、义乌市、磐安县、婺城区、永康市、金东区)

朝阳市(喀喇沁左翼蒙古族自治县、北票市、建平县、龙城区、朝阳县、双塔区、凌源市)

贵港市(平南县、覃塘区、港南区、桂平市、港北区)  海东市(民和回族土族自治县、平安区、互助土族自治县、化隆回族自治县、循化撒拉族自治县、乐都区)

长沙市(浏阳市、长沙县、开福区、岳麓区、雨花区、芙蓉区、宁乡市、望城区、天心区)

亳州市(涡阳县、谯城区、蒙城县、利辛县)

清远市(阳山县、清新区、连州市、清城区、连山壮族瑶族自治县、连南瑶族自治县、佛冈县、英德市)宿州市(埇桥区、萧县、泗县、砀山县、灵璧县)

宣城市(旌德县、泾县、广德市、郎溪县、宁国市、宣州区、绩溪县)  吴忠市(青铜峡市、利通区、红寺堡区、同心县、盐池县)

丽江市(玉龙纳西族自治县、华坪县、永胜县、宁蒗彝族自治县、古城区)

三亚市(吉阳区、崖州区、天涯区、海棠区)

阿里地区(改则县、普兰县、噶尔县、札达县、日土县、革吉县、措勤县)迪庆藏族自治州(德钦县、香格里拉市、维西傈僳族自治县)

双鸭山市(宝山区、饶河县、四方台区、岭东区、尖山区、宝清县、友谊县、集贤县)

鹤岗市(工农区、南山区、东山区、向阳区、兴山区、兴安区、绥滨县、萝北县)

咸阳市(乾县、礼泉县、三原县、杨陵区、秦都区、武功县、淳化县、彬州市、渭城区、旬邑县、泾阳县、兴平市、长武县、永寿县)

咸宁市(嘉鱼县、通城县、通山县、咸安区、赤壁市、崇阳县)

凉山彝族自治州(盐源县、喜德县、木里藏族自治县、德昌县、冕宁县、会东县、美姑县、普格县、宁南县、昭觉县、越西县、会理市、甘洛县、雷波县、布拖县、金阳县、西昌市)

揭阳市(揭西县、惠来县、揭东区、榕城区、普宁市)

克拉玛依市(乌尔禾区、克拉玛依区、白碱滩区、独山子区)

廊坊市(固安县、香河县、永清县、三河市、大城县、霸州市、大厂回族自治县、广阳区、文安县、安次区)

湛江市(吴川市、雷州市、遂溪县、赤坎区、廉江市、徐闻县、霞山区、麻章区、坡头区)

佛山市(禅城区、高明区、顺德区、三水区、南海区)

楚雄彝族自治州(元谋县、牟定县、大姚县、永仁县、楚雄市、禄丰市、南华县、双柏县、姚安县、武定县)

许昌市(长葛市、建安区、鄢陵县、魏都区、禹州市、襄城县)

张家口市(涿鹿县、尚义县、蔚县、下花园区、崇礼区、康保县、沽源县、桥西区、张北县、赤城县、阳原县、桥东区、怀来县、万全区、怀安县、宣化区)

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恩施土家族苗族自治州(建始县、咸丰县、巴东县、恩施市、宣恩县、利川市、来凤县、鹤峰县)

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中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。