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和田地区(洛浦县、民丰县、和田市、策勒县、于田县、皮山县、墨玉县、和田县)

白银市(靖远县、白银区、会宁县、景泰县、平川区)

鹤岗市(向阳区、萝北县、南山区、工农区、绥滨县、兴安区、兴山区、东山区)

宜昌市(点军区、秭归县、伍家岗区、宜都市、远安县、枝江市、兴山县、五峰土家族自治县、长阳土家族自治县、猇亭区、当阳市、夷陵区、西陵区)  百色市(乐业县、西林县、那坡县、隆林各族自治县、田林县、靖西市、右江区、田阳区、田东县、平果市、德保县、凌云县)

泰安市(肥城市、泰山区、宁阳县、东平县、岱岳区、新泰市)

博尔塔拉蒙古自治州(阿拉山口市、精河县、博乐市、温泉县)

景德镇市(昌江区、浮梁县、乐平市、珠山区)宿州市(泗县、埇桥区、萧县、灵璧县、砀山县)

昌都市(边坝县、卡若区、江达县、察雅县、左贡县、丁青县、八宿县、芒康县、类乌齐县、洛隆县、贡觉县)  银川市(灵武市、西夏区、贺兰县、兴庆区、永宁县、金凤区)

营口市(老边区、西市区、鲅鱼圈区、盖州市、大石桥市、站前区)

黔南布依族苗族自治州(罗甸县、荔波县、贵定县、三都水族自治县、独山县、都匀市、长顺县、福泉市、惠水县、平塘县、瓮安县、龙里县)

果洛藏族自治州(玛沁县、达日县、班玛县、玛多县、久治县、甘德县)

辽源市(东辽县、东丰县、西安区、龙山区)

铜陵市(枞阳县、铜官区、郊区、义安区)

本溪市(溪湖区、桓仁满族自治县、明山区、南芬区、本溪满族自治县、平山区)

荆门市(沙洋县、掇刀区、钟祥市、京山市、东宝区)

湛江市(吴川市、雷州市、遂溪县、徐闻县、霞山区、廉江市、麻章区、赤坎区、坡头区)

攀枝花市(西区、仁和区、东区、米易县、盐边县)

黄山市(黟县、屯溪区、黄山区、祁门县、歙县、徽州区、休宁县)

平顶山市(叶县、卫东区、舞钢市、宝丰县、郏县、鲁山县、石龙区、湛河区、汝州市、新华区)

厦门市(海沧区、翔安区、同安区、集美区、思明区、湖里区)

鹰潭市(余江区、月湖区、贵溪市)

海南藏族自治州(贵南县、兴海县、贵德县、共和县、同德县)

昆明市(寻甸回族彝族自治县、五华区、禄劝彝族苗族自治县、西山区、官渡区、呈贡区、富民县、嵩明县、东川区、石林彝族自治县、安宁市、晋宁区、宜良县、盘龙区)

桂林市(兴安县、恭城瑶族自治县、雁山区、叠彩区、七星区、阳朔县、象山区、平乐县、秀峰区、荔浦市、全州县、临桂区、灌阳县、灵川县、龙胜各族自治县、资源县、永福县)

林芝市(工布江达县、波密县、巴宜区、米林市、墨脱县、察隅县、朗县)

双鸭山市(饶河县、岭东区、尖山区、宝清县、四方台区、友谊县、集贤县、宝山区)

海口市(龙华区、秀英区、美兰区、琼山区)

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普洱市(澜沧拉祜族自治县、思茅区、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县、景谷傣族彝族自治县、江城哈尼族彝族自治县、景东彝族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、孟连傣族拉祜族佤族自治县、西盟佤族自治县、墨江哈尼族自治县)

伊犁哈萨克自治州(察布查尔锡伯自治县、特克斯县、新源县、霍城县、尼勒克县、巩留县、霍尔果斯市、昭苏县、伊宁市、奎屯市、伊宁县)

南京市(高淳区、鼓楼区、浦口区、栖霞区、建邺区、溧水区、江宁区、玄武区、六合区、雨花台区、秦淮区)

七台河市(茄子河区、桃山区、勃利县、新兴区)  临沧市(凤庆县、沧源佤族自治县、耿马傣族佤族自治县、镇康县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、临翔区、永德县、云县)

台州市(玉环市、临海市、天台县、路桥区、温岭市、椒江区、仙居县、三门县、黄岩区)

荆州市(荆州区、公安县、江陵县、沙市区、洪湖市、松滋市、石首市、监利市)

德阳市(罗江区、绵竹市、中江县、旌阳区、广汉市、什邡市)金昌市(金川区、永昌县)

保山市(施甸县、腾冲市、龙陵县、隆阳区、昌宁县)  合肥市(巢湖市、肥东县、庐阳区、长丰县、肥西县、包河区、蜀山区、瑶海区、庐江县)

红河哈尼族彝族自治州(屏边苗族自治县、绿春县、泸西县、河口瑶族自治县、个旧市、金平苗族瑶族傣族自治县、石屏县、开远市、建水县、蒙自市、红河县、弥勒市、元阳县)

昌吉回族自治州(吉木萨尔县、呼图壁县、奇台县、昌吉市、木垒哈萨克自治县、阜康市、玛纳斯县)

常德市(临澧县、澧县、鼎城区、汉寿县、武陵区、安乡县、石门县、津市市、桃源县)河源市(紫金县、东源县、源城区、连平县、龙川县、和平县)

玉林市(兴业县、陆川县、北流市、玉州区、福绵区、博白县、容县)

石嘴山市(大武口区、惠农区、平罗县)

衡水市(武邑县、枣强县、桃城区、武强县、饶阳县、景县、安平县、深州市、故城县、阜城县、冀州区)

吐鲁番市(托克逊县、高昌区、鄯善县)

盐城市(建湖县、大丰区、盐都区、响水县、射阳县、滨海县、亭湖区、东台市、阜宁县)

许昌市(建安区、禹州市、鄢陵县、魏都区、襄城县、长葛市)

大兴安岭地区(漠河市、呼玛县、塔河县)

成都市(金堂县、蒲江县、大邑县、龙泉驿区、锦江区、青白江区、简阳市、都江堰市、温江区、彭州市、新都区、武侯区、成华区、金牛区、崇州市、郫都区、双流区、青羊区、新津区、邛崃市)

武威市(民勤县、古浪县、凉州区、天祝藏族自治县)

朔州市(应县、怀仁市、朔城区、右玉县、山阴县、平鲁区)

张掖市(民乐县、甘州区、高台县、肃南裕固族自治县、山丹县、临泽县)

眉山市(青神县、彭山区、丹棱县、洪雅县、仁寿县、东坡区)

长春市(朝阳区、宽城区、南关区、九台区、绿园区、德惠市、农安县、榆树市、公主岭市、二道区、双阳区)

济源市

芜湖市(镜湖区、鸠江区、无为市、湾沚区、繁昌区、弋江区、南陵县)

保定市(唐县、清苑区、容城县、满城区、高阳县、安国市、涞水县、蠡县、阜平县、高碑店市、望都县、涿州市、定兴县、博野县、莲池区、涞源县、竞秀区、定州市、曲阳县、徐水区、顺平县、雄县、安新县、易县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。