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中卫市(沙坡头区、海原县、中宁县)

临汾市(安泽县、翼城县、乡宁县、永和县、襄汾县、蒲县、大宁县、汾西县、曲沃县、隰县、浮山县、霍州市、吉县、古县、洪洞县、尧都区、侯马市)

临沂市(兰陵县、沂南县、河东区、平邑县、罗庄区、莒南县、临沭县、郯城县、沂水县、蒙阴县、费县、兰山区)

广州市(天河区、荔湾区、花都区、白云区、黄埔区、南沙区、从化区、番禺区、越秀区、海珠区、增城区)  江门市(江海区、台山市、新会区、蓬江区、开平市、鹤山市、恩平市)

吴忠市(盐池县、同心县、红寺堡区、青铜峡市、利通区)

西藏自治区

遂宁市(蓬溪县、射洪市、船山区、大英县、安居区)

大同市(天镇县、广灵县、云州区、左云县、云冈区、新荣区、灵丘县、平城区、浑源县、阳高县)  来宾市(象州县、兴宾区、合山市、金秀瑶族自治县、武宣县、忻城县)

玉林市(北流市、容县、博白县、陆川县、福绵区、兴业县、玉州区)

天水市(清水县、秦安县、秦州区、张家川回族自治县、麦积区、武山县、甘谷县)

玉溪市(通海县、峨山彝族自治县、澄江市、元江哈尼族彝族傣族自治县、新平彝族傣族自治县、易门县、红塔区、江川区、华宁县)

徐州市(云龙区、邳州市、丰县、睢宁县、贾汪区、沛县、鼓楼区、新沂市、铜山区、泉山区)

赤峰市(敖汉旗、宁城县、松山区、喀喇沁旗、巴林左旗、翁牛特旗、元宝山区、阿鲁科尔沁旗、克什克腾旗、红山区、巴林右旗、林西县)

岳阳市(临湘市、云溪区、湘阴县、岳阳楼区、汨罗市、平江县、华容县、岳阳县、君山区)

湘西土家族苗族自治州(花垣县、古丈县、龙山县、吉首市、保靖县、永顺县、泸溪县、凤凰县)

宜春市(万载县、靖安县、奉新县、铜鼓县、袁州区、宜丰县、上高县、丰城市、樟树市、高安市)

宿州市(埇桥区、砀山县、泗县、萧县、灵璧县)

鞍山市(海城市、立山区、台安县、铁东区、岫岩满族自治县、千山区、铁西区)

宁波市(江北区、鄞州区、奉化区、慈溪市、余姚市、海曙区、北仑区、象山县、镇海区、宁海县)

武汉市(江岸区、江夏区、汉阳区、蔡甸区、硚口区、江汉区、黄陂区、洪山区、新洲区、武昌区、东西湖区、青山区、汉南区)

锡林郭勒盟(正蓝旗、太仆寺旗、锡林浩特市、苏尼特左旗、东乌珠穆沁旗、多伦县、阿巴嘎旗、西乌珠穆沁旗、二连浩特市、镶黄旗、苏尼特右旗、正镶白旗)

齐齐哈尔市(富拉尔基区、泰来县、克东县、龙沙区、富裕县、昂昂溪区、建华区、依安县、拜泉县、克山县、碾子山区、甘南县、梅里斯达斡尔族区、铁锋区、龙江县、讷河市)

资阳市(安岳县、雁江区、乐至县)

崇左市(天等县、扶绥县、凭祥市、龙州县、江州区、大新县、宁明县)

榆林市(府谷县、横山区、榆阳区、神木市、定边县、佳县、绥德县、米脂县、清涧县、子洲县、吴堡县、靖边县)

钦州市(钦南区、灵山县、浦北县、钦北区)

商洛市(山阳县、商州区、洛南县、镇安县、丹凤县、商南县、柞水县)

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西双版纳傣族自治州(勐腊县、景洪市、勐海县)

常州市(金坛区、新北区、溧阳市、武进区、钟楼区、天宁区)

拉萨市(墨竹工卡县、达孜区、林周县、当雄县、尼木县、城关区、堆龙德庆区、曲水县)

苏州市(张家港市、虎丘区、姑苏区、吴中区、昆山市、常熟市、太仓市、吴江区、相城区)  内江市(隆昌市、市中区、东兴区、威远县、资中县)

甘孜藏族自治州(九龙县、甘孜县、雅江县、丹巴县、炉霍县、德格县、得荣县、乡城县、稻城县、道孚县、石渠县、康定市、色达县、巴塘县、泸定县、新龙县、白玉县、理塘县)

济源市

东莞市长春市(农安县、二道区、宽城区、双阳区、榆树市、九台区、德惠市、南关区、公主岭市、朝阳区、绿园区)

山南市(措美县、乃东区、错那市、桑日县、加查县、琼结县、浪卡子县、曲松县、隆子县、贡嘎县、洛扎县、扎囊县)  阿勒泰地区(哈巴河县、布尔津县、青河县、福海县、富蕴县、吉木乃县、阿勒泰市)

盐城市(响水县、大丰区、阜宁县、亭湖区、东台市、建湖县、射阳县、滨海县、盐都区)

衡阳市(珠晖区、衡山县、蒸湘区、石鼓区、南岳区、雁峰区、衡南县、耒阳市、衡东县、衡阳县、祁东县、常宁市)

朝阳市(喀喇沁左翼蒙古族自治县、建平县、双塔区、龙城区、朝阳县、北票市、凌源市)贺州市(平桂区、富川瑶族自治县、昭平县、钟山县、八步区)

阿拉善盟(额济纳旗、阿拉善左旗、阿拉善右旗)

大兴安岭地区(漠河市、塔河县、呼玛县)

乌兰察布市(商都县、丰镇市、察哈尔右翼前旗、化德县、兴和县、卓资县、集宁区、察哈尔右翼后旗、察哈尔右翼中旗、凉城县、四子王旗)

乌海市(海南区、乌达区、海勃湾区)

九江市(湖口县、武宁县、柴桑区、浔阳区、庐山市、永修县、共青城市、修水县、彭泽县、都昌县、濂溪区、瑞昌市、德安县)

六安市(金寨县、裕安区、舒城县、霍邱县、叶集区、金安区、霍山县)

平顶山市(石龙区、宝丰县、湛河区、叶县、汝州市、卫东区、新华区、舞钢市、鲁山县、郏县)

嘉峪关市

克拉玛依市(独山子区、克拉玛依区、白碱滩区、乌尔禾区)

衢州市(柯城区、常山县、开化县、衢江区、龙游县、江山市)

南昌市(东湖区、西湖区、南昌县、进贤县、青云谱区、青山湖区、红谷滩区、安义县、新建区)

运城市(盐湖区、稷山县、闻喜县、垣曲县、临猗县、夏县、平陆县、绛县、永济市、万荣县、河津市、芮城县、新绛县)

石嘴山市(惠农区、平罗县、大武口区)

鹤壁市(山城区、淇县、鹤山区、淇滨区、浚县)

东营市(河口区、利津县、垦利区、东营区、广饶县)

巴音郭楞蒙古自治州(若羌县、和硕县、尉犁县、库尔勒市、且末县、博湖县、焉耆回族自治县、轮台县、和静县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。