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平顶山市(湛河区、鲁山县、汝州市、宝丰县、新华区、石龙区、郏县、舞钢市、卫东区、叶县)

盐城市(射阳县、滨海县、东台市、大丰区、盐都区、亭湖区、阜宁县、建湖县、响水县)

萍乡市(湘东区、上栗县、芦溪县、安源区、莲花县)

防城港市(东兴市、港口区、防城区、上思县)  兰州市(七里河区、皋兰县、安宁区、西固区、红古区、城关区、永登县、榆中县)

酒泉市(玉门市、阿克塞哈萨克族自治县、金塔县、瓜州县、敦煌市、肃北蒙古族自治县、肃州区)

德阳市(旌阳区、中江县、绵竹市、罗江区、广汉市、什邡市)

新余市(分宜县、渝水区)

阳泉市(郊区、城区、平定县、矿区、盂县)  河源市(和平县、龙川县、源城区、连平县、紫金县、东源县)

景德镇市(昌江区、珠山区、浮梁县、乐平市)

肇庆市(鼎湖区、端州区、封开县、德庆县、广宁县、怀集县、四会市、高要区)

马鞍山市(花山区、含山县、和县、雨山区、当涂县、博望区)

贵港市(港南区、覃塘区、桂平市、港北区、平南县)

塔城地区(乌苏市、和布克赛尔蒙古自治县、托里县、裕民县、塔城市、额敏县、沙湾市)

乌兰察布市(察哈尔右翼后旗、化德县、商都县、凉城县、四子王旗、察哈尔右翼中旗、卓资县、集宁区、丰镇市、察哈尔右翼前旗、兴和县)

荆门市(掇刀区、沙洋县、钟祥市、京山市、东宝区)

日照市(莒县、岚山区、五莲县、东港区)

汕头市(潮阳区、澄海区、金平区、南澳县、濠江区、龙湖区、潮南区)

南京市(溧水区、六合区、秦淮区、鼓楼区、雨花台区、浦口区、建邺区、江宁区、玄武区、栖霞区、高淳区)

六盘水市(六枝特区、水城区、盘州市、钟山区)

鹰潭市(贵溪市、余江区、月湖区)

宁夏回族自治区

常德市(鼎城区、桃源县、津市市、石门县、澧县、武陵区、临澧县、安乡县、汉寿县)

永州市(蓝山县、东安县、祁阳市、双牌县、江永县、零陵区、宁远县、新田县、冷水滩区、江华瑶族自治县、道县)

巴中市(南江县、恩阳区、平昌县、巴州区、通江县)

青岛市(平度市、李沧区、胶州市、崂山区、市北区、莱西市、城阳区、市南区、黄岛区、即墨区)

曲靖市(陆良县、马龙区、宣威市、师宗县、会泽县、沾益区、麒麟区、富源县、罗平县)

日喀则市(南木林县、仁布县、仲巴县、萨迦县、萨嘎县、定日县、吉隆县、聂拉木县、康马县、亚东县、江孜县、岗巴县、谢通门县、昂仁县、定结县、白朗县、桑珠孜区、拉孜县)

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桂林市(资源县、兴安县、荔浦市、平乐县、七星区、秀峰区、恭城瑶族自治县、全州县、灵川县、阳朔县、象山区、临桂区、永福县、雁山区、龙胜各族自治县、叠彩区、灌阳县)

盘锦市(盘山县、大洼区、双台子区、兴隆台区)

宣城市(宁国市、广德市、郎溪县、宣州区、绩溪县、泾县、旌德县)

周口市(商水县、太康县、扶沟县、郸城县、川汇区、淮阳区、西华县、沈丘县、鹿邑县、项城市)  淮安市(清江浦区、盱眙县、洪泽区、淮阴区、淮安区、金湖县、涟水县)

赤峰市(巴林左旗、喀喇沁旗、敖汉旗、克什克腾旗、翁牛特旗、阿鲁科尔沁旗、红山区、宁城县、元宝山区、林西县、松山区、巴林右旗)

吴忠市(青铜峡市、盐池县、红寺堡区、利通区、同心县)

黔西南布依族苗族自治州(望谟县、册亨县、晴隆县、贞丰县、兴仁市、兴义市、安龙县、普安县)海西蒙古族藏族自治州(乌兰县、茫崖市、都兰县、天峻县、德令哈市、格尔木市)

珠海市(斗门区、金湾区、香洲区)  乌鲁木齐市(沙依巴克区、达坂城区、天山区、米东区、水磨沟区、新市区、头屯河区、乌鲁木齐县)

亳州市(蒙城县、谯城区、涡阳县、利辛县)

上海市(嘉定区、静安区、普陀区、闵行区、虹口区、杨浦区、宝山区、青浦区、松江区、黄浦区、浦东新区、徐汇区、金山区、崇明区、奉贤区、长宁区)

伊春市(大箐山县、乌翠区、铁力市、丰林县、南岔县、伊美区、金林区、嘉荫县、友好区、汤旺县)锦州市(太和区、古塔区、凌海市、凌河区、北镇市、黑山县、义县)

乐山市(市中区、峨眉山市、井研县、金口河区、峨边彝族自治县、马边彝族自治县、沙湾区、犍为县、五通桥区、沐川县、夹江县)

山南市(桑日县、洛扎县、加查县、琼结县、浪卡子县、措美县、乃东区、贡嘎县、隆子县、曲松县、错那市、扎囊县)

广州市(白云区、南沙区、花都区、海珠区、天河区、番禺区、越秀区、荔湾区、增城区、黄埔区、从化区)

阿拉善盟(阿拉善右旗、阿拉善左旗、额济纳旗)

百色市(田阳区、田林县、乐业县、右江区、田东县、平果市、靖西市、凌云县、西林县、隆林各族自治县、德保县、那坡县)

惠州市(惠阳区、博罗县、龙门县、惠东县、惠城区)

连云港市(灌云县、赣榆区、海州区、连云区、灌南县、东海县)

佳木斯市(前进区、郊区、东风区、向阳区、抚远市、桦川县、桦南县、同江市、富锦市、汤原县)

果洛藏族自治州(达日县、班玛县、久治县、玛多县、玛沁县、甘德县)

漳州市(芗城区、华安县、云霄县、南靖县、龙文区、龙海区、东山县、漳浦县、平和县、诏安县、长泰区)

梅州市(梅县区、蕉岭县、兴宁市、五华县、平远县、大埔县、丰顺县、梅江区)

西宁市(城北区、湟源县、城西区、城中区、湟中区、大通回族土族自治县、城东区)

来宾市(金秀瑶族自治县、武宣县、合山市、兴宾区、忻城县、象州县)

晋中市(和顺县、左权县、昔阳县、太谷区、灵石县、祁县、介休市、平遥县、寿阳县、榆社县、榆次区)

长治市(襄垣县、沁县、上党区、潞州区、黎城县、平顺县、潞城区、壶关县、沁源县、长子县、武乡县、屯留区)

衡阳市(常宁市、雁峰区、衡山县、祁东县、衡阳县、衡东县、石鼓区、衡南县、耒阳市、珠晖区、南岳区、蒸湘区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。