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大庆市(大同区、龙凤区、红岗区、杜尔伯特蒙古族自治县、让胡路区、肇源县、林甸县、肇州县、萨尔图区)

通辽市(奈曼旗、开鲁县、扎鲁特旗、霍林郭勒市、库伦旗、科尔沁区、科尔沁左翼中旗、科尔沁左翼后旗)

黔东南苗族侗族自治州(镇远县、三穗县、麻江县、黄平县、丹寨县、天柱县、凯里市、锦屏县、黎平县、从江县、岑巩县、施秉县、剑河县、台江县、雷山县、榕江县)

天水市(甘谷县、麦积区、张家川回族自治县、清水县、武山县、秦安县、秦州区)  邵阳市(隆回县、武冈市、北塔区、双清区、绥宁县、大祥区、新宁县、邵阳县、邵东市、洞口县、城步苗族自治县、新邵县)

双鸭山市(友谊县、宝山区、岭东区、四方台区、尖山区、集贤县、饶河县、宝清县)

青岛市(市北区、胶州市、黄岛区、城阳区、市南区、即墨区、平度市、崂山区、莱西市、李沧区)

渭南市(华州区、白水县、大荔县、合阳县、临渭区、富平县、华阴市、韩城市、蒲城县、潼关县、澄城县)阜新市(细河区、新邱区、彰武县、阜新蒙古族自治县、清河门区、太平区、海州区)

临沧市(凤庆县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、临翔区、耿马傣族佤族自治县、镇康县、沧源佤族自治县、云县、永德县)  威海市(荣成市、乳山市、环翠区、文登区)

澳门特别行政区

南充市(嘉陵区、西充县、营山县、南部县、阆中市、高坪区、顺庆区、蓬安县、仪陇县)

吴忠市(利通区、同心县、青铜峡市、红寺堡区、盐池县)

咸宁市(赤壁市、崇阳县、通山县、咸安区、嘉鱼县、通城县)

乌兰察布市(察哈尔右翼中旗、兴和县、卓资县、集宁区、丰镇市、察哈尔右翼后旗、化德县、凉城县、商都县、察哈尔右翼前旗、四子王旗)

延安市(志丹县、甘泉县、安塞区、子长市、延长县、宜川县、黄陵县、洛川县、富县、延川县、黄龙县、宝塔区、吴起县)

衡阳市(耒阳市、常宁市、蒸湘区、衡山县、祁东县、衡东县、衡南县、石鼓区、衡阳县、南岳区、珠晖区、雁峰区)

迪庆藏族自治州(维西傈僳族自治县、香格里拉市、德钦县)

龙岩市(漳平市、连城县、永定区、武平县、新罗区、长汀县、上杭县)

晋中市(祁县、昔阳县、榆社县、平遥县、太谷区、介休市、和顺县、寿阳县、左权县、灵石县、榆次区)

贺州市(钟山县、八步区、富川瑶族自治县、平桂区、昭平县)

连云港市(东海县、灌云县、连云区、赣榆区、灌南县、海州区)

泰安市(宁阳县、东平县、肥城市、新泰市、泰山区、岱岳区)

廊坊市(固安县、文安县、安次区、霸州市、永清县、大厂回族自治县、大城县、香河县、广阳区、三河市)

安庆市(岳西县、怀宁县、太湖县、宜秀区、迎江区、望江县、大观区、宿松县、桐城市、潜山市)

三明市(永安市、尤溪县、明溪县、建宁县、三元区、沙县区、将乐县、宁化县、清流县、大田县、泰宁县)

西双版纳傣族自治州(勐海县、景洪市、勐腊县)

大连市(中山区、金州区、沙河口区、普兰店区、西岗区、旅顺口区、长海县、甘井子区、瓦房店市、庄河市)

嘉兴市(嘉善县、桐乡市、平湖市、海宁市、南湖区、海盐县、秀洲区)

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唐山市(路南区、滦州市、乐亭县、迁西县、玉田县、丰南区、路北区、迁安市、遵化市、开平区、丰润区、古冶区、滦南县、曹妃甸区)

南昌市(青山湖区、安义县、南昌县、进贤县、西湖区、红谷滩区、新建区、东湖区、青云谱区)

成都市(青白江区、温江区、邛崃市、蒲江县、青羊区、新津区、金牛区、金堂县、锦江区、简阳市、新都区、武侯区、郫都区、崇州市、都江堰市、大邑县、龙泉驿区、彭州市、成华区、双流区)

延边朝鲜族自治州(图们市、珲春市、龙井市、汪清县、延吉市、敦化市、安图县、和龙市)  和田地区(策勒县、墨玉县、于田县、和田市、民丰县、皮山县、洛浦县、和田县)

果洛藏族自治州(甘德县、班玛县、玛沁县、达日县、久治县、玛多县)

景德镇市(昌江区、珠山区、乐平市、浮梁县)

湖州市(安吉县、长兴县、南浔区、德清县、吴兴区)南京市(江宁区、溧水区、六合区、雨花台区、栖霞区、鼓楼区、高淳区、玄武区、浦口区、秦淮区、建邺区)

吕梁市(离石区、岚县、交口县、中阳县、汾阳市、方山县、孝义市、文水县、临县、兴县、石楼县、柳林县、交城县)  张家界市(武陵源区、永定区、桑植县、慈利县)

大同市(灵丘县、新荣区、阳高县、广灵县、云冈区、云州区、天镇县、平城区、左云县、浑源县)

伊犁哈萨克自治州(尼勒克县、察布查尔锡伯自治县、奎屯市、霍城县、巩留县、新源县、伊宁县、特克斯县、霍尔果斯市、昭苏县、伊宁市)

石河子市(铁门关市、阿拉尔市、新星市、可克达拉市、胡杨河市、昆玉市、双河市、图木舒克市、北屯市、五家渠市、白杨市)海北藏族自治州(门源回族自治县、刚察县、海晏县、祁连县)

北京市(西城区、密云区、延庆区、顺义区、怀柔区、海淀区、大兴区、昌平区、平谷区、石景山区、门头沟区、丰台区、通州区、朝阳区、房山区、东城区)

安顺市(平坝区、西秀区、紫云苗族布依族自治县、普定县、关岭布依族苗族自治县、镇宁布依族苗族自治县)

遂宁市(船山区、射洪市、安居区、大英县、蓬溪县)

抚州市(南城县、乐安县、南丰县、资溪县、黎川县、东乡区、崇仁县、临川区、金溪县、宜黄县、广昌县)

莆田市(涵江区、荔城区、仙游县、城厢区、秀屿区)

漳州市(东山县、龙海区、漳浦县、长泰区、龙文区、诏安县、平和县、云霄县、华安县、南靖县、芗城区)

随州市(广水市、曾都区、随县)

铜陵市(郊区、铜官区、枞阳县、义安区)

德宏傣族景颇族自治州(梁河县、盈江县、陇川县、瑞丽市、芒市)

哈密市(伊吾县、伊州区、巴里坤哈萨克自治县)

固原市(隆德县、原州区、西吉县、泾源县、彭阳县)

丽江市(古城区、宁蒗彝族自治县、永胜县、华坪县、玉龙纳西族自治县)

常州市(武进区、新北区、溧阳市、天宁区、钟楼区、金坛区)

沧州市(黄骅市、运河区、盐山县、献县、沧县、青县、海兴县、肃宁县、泊头市、孟村回族自治县、任丘市、吴桥县、南皮县、新华区、河间市、东光县)

绥化市(安达市、北林区、庆安县、海伦市、兰西县、明水县、望奎县、肇东市、绥棱县、青冈县)

鸡西市(麻山区、密山市、鸡冠区、城子河区、梨树区、虎林市、滴道区、恒山区、鸡东县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。