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仙桃市(天门市、神农架林区、潜江市)

白城市(洮北区、洮南市、通榆县、大安市、镇赉县)

辽源市(东辽县、龙山区、西安区、东丰县)

莆田市(涵江区、荔城区、仙游县、城厢区、秀屿区)  昌吉回族自治州(阜康市、玛纳斯县、木垒哈萨克自治县、呼图壁县、昌吉市、吉木萨尔县、奇台县)

双鸭山市(集贤县、尖山区、友谊县、宝山区、四方台区、宝清县、岭东区、饶河县)

商洛市(洛南县、柞水县、商南县、商州区、山阳县、丹凤县、镇安县)

南京市(江宁区、建邺区、栖霞区、秦淮区、雨花台区、高淳区、溧水区、鼓楼区、玄武区、六合区、浦口区)

鄂尔多斯市(东胜区、鄂托克旗、康巴什区、伊金霍洛旗、达拉特旗、杭锦旗、鄂托克前旗、乌审旗、准格尔旗)  宿迁市(泗洪县、宿城区、沭阳县、宿豫区、泗阳县)

苏州市(太仓市、常熟市、吴江区、相城区、昆山市、张家港市、吴中区、姑苏区、虎丘区)

无锡市(江阴市、锡山区、新吴区、梁溪区、宜兴市、滨湖区、惠山区)

焦作市(武陟县、解放区、孟州市、马村区、山阳区、沁阳市、修武县、中站区、温县、博爱县)

沈阳市(康平县、皇姑区、沈河区、辽中区、于洪区、沈北新区、苏家屯区、法库县、新民市、铁西区、大东区、浑南区、和平区)

德宏傣族景颇族自治州(芒市、瑞丽市、梁河县、盈江县、陇川县)

南昌市(安义县、东湖区、红谷滩区、新建区、青云谱区、青山湖区、南昌县、西湖区、进贤县)

内江市(隆昌市、东兴区、威远县、市中区、资中县)

通辽市(霍林郭勒市、库伦旗、开鲁县、科尔沁区、扎鲁特旗、科尔沁左翼后旗、科尔沁左翼中旗、奈曼旗)

东莞市

辽阳市(弓长岭区、辽阳县、文圣区、太子河区、白塔区、灯塔市、宏伟区)

甘南藏族自治州(夏河县、合作市、临潭县、迭部县、卓尼县、碌曲县、玛曲县、舟曲县)

玉树藏族自治州(玉树市、治多县、称多县、囊谦县、曲麻莱县、杂多县)

临夏回族自治州(临夏县、康乐县、广河县、临夏市、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、永靖县、和政县、东乡族自治县)

济源市

镇江市(润州区、扬中市、京口区、句容市、丹阳市、丹徒区)

白山市(临江市、靖宇县、江源区、长白朝鲜族自治县、抚松县、浑江区)

连云港市(连云区、灌南县、东海县、海州区、灌云县、赣榆区)

兰州市(永登县、安宁区、七里河区、皋兰县、榆中县、城关区、红古区、西固区)

柳州市(柳北区、融安县、柳南区、鹿寨县、柳城县、柳江区、城中区、鱼峰区、融水苗族自治县、三江侗族自治县)

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开封市(顺河回族区、通许县、禹王台区、杞县、兰考县、祥符区、鼓楼区、尉氏县、龙亭区)

葫芦岛市(连山区、建昌县、绥中县、龙港区、兴城市、南票区)

铜陵市(枞阳县、义安区、铜官区、郊区)

日喀则市(仁布县、定日县、康马县、定结县、聂拉木县、吉隆县、白朗县、岗巴县、萨嘎县、萨迦县、拉孜县、谢通门县、江孜县、桑珠孜区、南木林县、昂仁县、亚东县、仲巴县)  宁德市(周宁县、福鼎市、福安市、蕉城区、寿宁县、柘荣县、古田县、屏南县、霞浦县)

合肥市(肥西县、蜀山区、瑶海区、巢湖市、长丰县、包河区、庐阳区、肥东县、庐江县)

乐山市(金口河区、峨边彝族自治县、五通桥区、犍为县、马边彝族自治县、井研县、沙湾区、峨眉山市、沐川县、夹江县、市中区)

呼伦贝尔市(牙克石市、海拉尔区、陈巴尔虎旗、根河市、满洲里市、鄂伦春自治旗、额尔古纳市、鄂温克族自治旗、扎赉诺尔区、新巴尔虎左旗、阿荣旗、新巴尔虎右旗、扎兰屯市、莫力达瓦达斡尔族自治旗)温州市(龙湾区、乐清市、平阳县、泰顺县、永嘉县、瑞安市、瓯海区、文成县、苍南县、洞头区、龙港市、鹿城区)

攀枝花市(盐边县、仁和区、西区、东区、米易县)  崇左市(江州区、凭祥市、宁明县、龙州县、天等县、大新县、扶绥县)

盘锦市(大洼区、兴隆台区、盘山县、双台子区)

六安市(金安区、霍邱县、霍山县、裕安区、舒城县、金寨县、叶集区)

永州市(江永县、东安县、双牌县、冷水滩区、祁阳市、新田县、宁远县、蓝山县、江华瑶族自治县、道县、零陵区)克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿合奇县、乌恰县、阿图什市、阿克陶县)

河池市(东兰县、罗城仫佬族自治县、南丹县、环江毛南族自治县、巴马瑶族自治县、凤山县、都安瑶族自治县、金城江区、天峨县、大化瑶族自治县、宜州区)

三门峡市(湖滨区、义马市、陕州区、卢氏县、灵宝市、渑池县)

乌海市(海南区、乌达区、海勃湾区)

潍坊市(临朐县、坊子区、高密市、奎文区、诸城市、寒亭区、昌邑市、青州市、寿光市、昌乐县、安丘市、潍城区)

平凉市(崇信县、静宁县、华亭市、泾川县、庄浪县、崆峒区、灵台县)

泉州市(鲤城区、泉港区、永春县、德化县、晋江市、石狮市、丰泽区、安溪县、洛江区、惠安县、南安市、金门县)

扬州市(宝应县、高邮市、邗江区、江都区、仪征市、广陵区)

安康市(石泉县、旬阳市、岚皋县、镇坪县、汉阴县、汉滨区、紫阳县、平利县、宁陕县、白河县)

怒江傈僳族自治州(福贡县、兰坪白族普米族自治县、泸水市、贡山独龙族怒族自治县)

毕节市(威宁彝族回族苗族自治县、金沙县、织金县、七星关区、大方县、黔西市、纳雍县、赫章县)

吐鲁番市(鄯善县、托克逊县、高昌区)

鹤壁市(山城区、淇县、浚县、鹤山区、淇滨区)

汉中市(洋县、留坝县、佛坪县、西乡县、宁强县、镇巴县、南郑区、城固县、勉县、略阳县、汉台区)

福州市(闽清县、鼓楼区、福清市、马尾区、连江县、晋安区、仓山区、长乐区、永泰县、台江区、罗源县、闽侯县、平潭县)

承德市(宽城满族自治县、围场满族蒙古族自治县、平泉市、鹰手营子矿区、承德县、双桥区、滦平县、隆化县、兴隆县、双滦区、丰宁满族自治县)

大同市(广灵县、平城区、云州区、浑源县、阳高县、天镇县、灵丘县、新荣区、云冈区、左云县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。