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那曲市(色尼区、索县、双湖县、巴青县、尼玛县、嘉黎县、比如县、申扎县、聂荣县、安多县、班戈县)

三亚市(海棠区、天涯区、吉阳区、崖州区)

怒江傈僳族自治州(福贡县、兰坪白族普米族自治县、贡山独龙族怒族自治县、泸水市)  崇左市(扶绥县、大新县、天等县、宁明县、凭祥市、江州区、龙州县)

嘉峪关市

黔南布依族苗族自治州(惠水县、瓮安县、龙里县、长顺县、福泉市、罗甸县、都匀市、荔波县、独山县、三都水族自治县、贵定县、平塘县)

丹东市(振兴区、元宝区、宽甸满族自治县、振安区、东港市、凤城市)

鸡西市(城子河区、梨树区、麻山区、密山市、鸡东县、鸡冠区、虎林市、滴道区、恒山区)  固原市(隆德县、原州区、西吉县、泾源县、彭阳县)

石家庄市(高邑县、栾城区、行唐县、藁城区、晋州市、井陉矿区、长安区、桥西区、鹿泉区、井陉县、正定县、裕华区、辛集市、无极县、平山县、赞皇县、新华区、灵寿县、深泽县、元氏县、新乐市、赵县)

西双版纳傣族自治州(景洪市、勐腊县、勐海县)

烟台市(福山区、海阳市、莱州市、蓬莱区、莱山区、龙口市、牟平区、招远市、栖霞市、莱阳市、芝罘区)

潍坊市(青州市、坊子区、奎文区、寒亭区、昌乐县、临朐县、安丘市、高密市、潍城区、昌邑市、寿光市、诸城市)

博尔塔拉蒙古自治州(精河县、阿拉山口市、温泉县、博乐市)

湖州市(南浔区、安吉县、吴兴区、德清县、长兴县)

铜陵市(义安区、枞阳县、铜官区、郊区)

济南市(历城区、莱芜区、历下区、槐荫区、商河县、市中区、章丘区、天桥区、钢城区、济阳区、平阴县、长清区)

平顶山市(宝丰县、石龙区、鲁山县、湛河区、新华区、叶县、卫东区、郏县、汝州市、舞钢市)

郴州市(临武县、北湖区、资兴市、宜章县、安仁县、桂东县、汝城县、永兴县、苏仙区、桂阳县、嘉禾县)

吉林市(蛟河市、永吉县、丰满区、龙潭区、舒兰市、磐石市、桦甸市、船营区、昌邑区)

山南市(扎囊县、曲松县、洛扎县、桑日县、乃东区、措美县、错那市、加查县、贡嘎县、琼结县、浪卡子县、隆子县)

保定市(阜平县、博野县、涞源县、满城区、顺平县、曲阳县、雄县、高阳县、竞秀区、清苑区、唐县、徐水区、莲池区、望都县、安国市、安新县、涞水县、定州市、蠡县、高碑店市、定兴县、涿州市、易县、容城县)

儋州市

渭南市(富平县、澄城县、韩城市、大荔县、白水县、潼关县、合阳县、华阴市、临渭区、蒲城县、华州区)

迪庆藏族自治州(香格里拉市、维西傈僳族自治县、德钦县)

重庆市(渝北区、铜梁区、大足区、合川区、梁平区、巫山县、酉阳土家族苗族自治县、万州区、长寿区、丰都县、南岸区、江北区、石柱土家族自治县、南川区、云阳县、巴南区、大渡口区、璧山区、垫江县、綦江区、沙坪坝区、九龙坡区、秀山土家族苗族自治县、城口县、北碚区、忠县、渝中区、江津区、永川区、荣昌区、黔江区、开州区、潼南区、奉节县、彭水苗族土家族自治县、涪陵区、巫溪县、武隆区)

宁波市(奉化区、海曙区、象山县、宁海县、余姚市、慈溪市、江北区、北仑区、镇海区、鄞州区)

四平市(铁东区、伊通满族自治县、双辽市、梨树县、铁西区)

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天津市(南开区、东丽区、河东区、蓟州区、河北区、和平区、河西区、滨海新区、红桥区、津南区、宝坻区、静海区、宁河区、武清区、西青区、北辰区)

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宿迁市(泗洪县、泗阳县、宿城区、宿豫区、沭阳县)

榆林市(佳县、清涧县、子洲县、绥德县、定边县、神木市、吴堡县、榆阳区、府谷县、靖边县、米脂县、横山区)  福州市(平潭县、鼓楼区、永泰县、连江县、晋安区、闽侯县、长乐区、仓山区、台江区、福清市、罗源县、闽清县、马尾区)

郑州市(中牟县、管城回族区、新密市、荥阳市、惠济区、新郑市、中原区、上街区、金水区、二七区、巩义市、登封市)

襄阳市(南漳县、宜城市、枣阳市、樊城区、保康县、老河口市、谷城县、襄城区、襄州区)

黑河市(逊克县、五大连池市、北安市、嫩江市、爱辉区、孙吴县)丽水市(缙云县、景宁畲族自治县、青田县、松阳县、莲都区、龙泉市、云和县、遂昌县、庆元县)

葫芦岛市(兴城市、建昌县、龙港区、连山区、南票区、绥中县)  张家界市(永定区、桑植县、慈利县、武陵源区)

昌吉回族自治州(阜康市、玛纳斯县、昌吉市、木垒哈萨克自治县、奇台县、吉木萨尔县、呼图壁县)

六盘水市(钟山区、水城区、六枝特区、盘州市)

鞍山市(立山区、铁西区、海城市、台安县、千山区、铁东区、岫岩满族自治县)仙桃市(潜江市、神农架林区、天门市)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿图什市、乌恰县、阿克陶县、阿合奇县)

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辽阳市(文圣区、弓长岭区、白塔区、太子河区、灯塔市、辽阳县、宏伟区)

本溪市(桓仁满族自治县、明山区、本溪满族自治县、平山区、南芬区、溪湖区)

甘孜藏族自治州(白玉县、九龙县、雅江县、炉霍县、巴塘县、道孚县、泸定县、乡城县、石渠县、色达县、德格县、康定市、稻城县、甘孜县、丹巴县、理塘县、新龙县、得荣县)

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延安市(黄龙县、延长县、子长市、宜川县、甘泉县、洛川县、黄陵县、安塞区、吴起县、志丹县、延川县、富县、宝塔区)

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汉中市(佛坪县、城固县、西乡县、宁强县、洋县、南郑区、勉县、略阳县、镇巴县、留坝县、汉台区)

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中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。