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昭通市(水富市、永善县、鲁甸县、镇雄县、盐津县、威信县、绥江县、昭阳区、巧家县、大关县、彝良县)

湖州市(德清县、南浔区、安吉县、长兴县、吴兴区)

淮安市(盱眙县、金湖县、淮阴区、清江浦区、淮安区、涟水县、洪泽区)

孝感市(应城市、孝南区、孝昌县、安陆市、大悟县、汉川市、云梦县)  新疆维吾尔自治区

曲靖市(麒麟区、师宗县、罗平县、陆良县、宣威市、沾益区、马龙区、富源县、会泽县)

吉林市(磐石市、永吉县、桦甸市、丰满区、船营区、蛟河市、龙潭区、舒兰市、昌邑区)

兴安盟(科尔沁右翼前旗、阿尔山市、乌兰浩特市、扎赉特旗、科尔沁右翼中旗、突泉县)

甘孜藏族自治州(稻城县、新龙县、九龙县、白玉县、德格县、雅江县、炉霍县、乡城县、得荣县、色达县、康定市、泸定县、理塘县、巴塘县、甘孜县、石渠县、道孚县、丹巴县)  哈密市(伊州区、巴里坤哈萨克自治县、伊吾县)

安康市(汉阴县、紫阳县、镇坪县、旬阳市、宁陕县、汉滨区、白河县、石泉县、岚皋县、平利县)

南阳市(宛城区、镇平县、淅川县、南召县、社旗县、桐柏县、方城县、邓州市、新野县、卧龙区、西峡县、唐河县、内乡县)

抚州市(东乡区、宜黄县、南丰县、金溪县、乐安县、临川区、黎川县、资溪县、南城县、崇仁县、广昌县)

德宏傣族景颇族自治州(盈江县、瑞丽市、梁河县、芒市、陇川县)

松原市(前郭尔罗斯蒙古族自治县、长岭县、扶余市、宁江区、乾安县)

宜昌市(秭归县、猇亭区、伍家岗区、夷陵区、长阳土家族自治县、五峰土家族自治县、西陵区、宜都市、当阳市、点军区、远安县、兴山县、枝江市)

六盘水市(钟山区、盘州市、六枝特区、水城区)

迪庆藏族自治州(香格里拉市、维西傈僳族自治县、德钦县)

伊犁哈萨克自治州(巩留县、昭苏县、伊宁市、霍城县、奎屯市、新源县、霍尔果斯市、特克斯县、尼勒克县、察布查尔锡伯自治县、伊宁县)

林芝市(墨脱县、米林市、巴宜区、察隅县、工布江达县、波密县、朗县)

百色市(西林县、平果市、乐业县、隆林各族自治县、那坡县、田林县、田阳区、德保县、田东县、凌云县、靖西市、右江区)

佳木斯市(向阳区、桦川县、东风区、汤原县、富锦市、桦南县、抚远市、郊区、前进区、同江市)

武威市(凉州区、民勤县、天祝藏族自治县、古浪县)

定西市(安定区、漳县、通渭县、岷县、陇西县、临洮县、渭源县)

菏泽市(定陶区、成武县、郓城县、牡丹区、东明县、鄄城县、曹县、单县、巨野县)

牡丹江市(东安区、海林市、林口县、西安区、绥芬河市、爱民区、阳明区、东宁市、穆棱市、宁安市)

蚌埠市(固镇县、蚌山区、怀远县、五河县、龙子湖区、禹会区、淮上区)

阿克苏地区(新和县、阿克苏市、阿瓦提县、沙雅县、库车市、柯坪县、温宿县、拜城县、乌什县)

绥化市(兰西县、北林区、海伦市、肇东市、安达市、绥棱县、青冈县、望奎县、明水县、庆安县)

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资阳市(安岳县、雁江区、乐至县)

柳州市(融水苗族自治县、柳江区、鹿寨县、柳南区、城中区、鱼峰区、柳城县、柳北区、三江侗族自治县、融安县)

铁岭市(银州区、西丰县、铁岭县、调兵山市、清河区、昌图县、开原市)

盐城市(东台市、射阳县、大丰区、滨海县、盐都区、阜宁县、响水县、亭湖区、建湖县)  随州市(随县、曾都区、广水市)

阿里地区(措勤县、革吉县、普兰县、噶尔县、札达县、改则县、日土县)

长治市(上党区、潞城区、襄垣县、平顺县、黎城县、壶关县、屯留区、沁源县、沁县、武乡县、潞州区、长子县)

石家庄市(高邑县、新乐市、无极县、新华区、晋州市、辛集市、桥西区、赞皇县、井陉县、元氏县、井陉矿区、赵县、栾城区、正定县、平山县、行唐县、灵寿县、鹿泉区、裕华区、藁城区、长安区、深泽县)营口市(鲅鱼圈区、大石桥市、盖州市、站前区、西市区、老边区)

鄂州市(鄂城区、华容区、梁子湖区)  鹰潭市(贵溪市、月湖区、余江区)

枣庄市(市中区、台儿庄区、峄城区、薛城区、滕州市、山亭区)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(乌恰县、阿图什市、阿克陶县、阿合奇县)

云浮市(新兴县、云城区、云安区、罗定市、郁南县)昌都市(江达县、察雅县、贡觉县、卡若区、丁青县、左贡县、边坝县、类乌齐县、芒康县、洛隆县、八宿县)

黄山市(祁门县、黟县、歙县、休宁县、屯溪区、徽州区、黄山区)

来宾市(合山市、象州县、兴宾区、金秀瑶族自治县、武宣县、忻城县)

博尔塔拉蒙古自治州(精河县、阿拉山口市、温泉县、博乐市)

临沧市(双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、永德县、临翔区、镇康县、云县、耿马傣族佤族自治县、凤庆县、沧源佤族自治县)

吕梁市(临县、兴县、岚县、孝义市、离石区、汾阳市、交口县、石楼县、方山县、文水县、中阳县、柳林县、交城县)

铜陵市(铜官区、枞阳县、郊区、义安区)

大兴安岭地区(漠河市、呼玛县、塔河县)

达州市(大竹县、宣汉县、达川区、渠县、万源市、通川区、开江县)

岳阳市(君山区、湘阴县、云溪区、岳阳县、临湘市、汨罗市、岳阳楼区、华容县、平江县)

梧州市(万秀区、藤县、岑溪市、长洲区、蒙山县、苍梧县、龙圩区)

阿坝藏族羌族自治州(茂县、理县、金川县、小金县、黑水县、阿坝县、汶川县、若尔盖县、马尔康市、松潘县、九寨沟县、壤塘县、红原县)

防城港市(东兴市、防城区、上思县、港口区)

中山市

仙桃市(天门市、潜江市、神农架林区)

乐山市(峨边彝族自治县、犍为县、沐川县、井研县、马边彝族自治县、五通桥区、夹江县、峨眉山市、市中区、金口河区、沙湾区)

河池市(金城江区、都安瑶族自治县、南丹县、宜州区、东兰县、大化瑶族自治县、天峨县、巴马瑶族自治县、凤山县、环江毛南族自治县、罗城仫佬族自治县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。