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荆州市(松滋市、江陵县、监利市、石首市、沙市区、公安县、荆州区、洪湖市)

乌海市(海勃湾区、海南区、乌达区)

盐城市(响水县、东台市、大丰区、盐都区、建湖县、滨海县、亭湖区、射阳县、阜宁县)

丽水市(莲都区、遂昌县、云和县、缙云县、松阳县、景宁畲族自治县、庆元县、龙泉市、青田县)  榆林市(佳县、吴堡县、米脂县、清涧县、府谷县、神木市、榆阳区、靖边县、绥德县、定边县、横山区、子洲县)

蚌埠市(龙子湖区、禹会区、怀远县、固镇县、五河县、蚌山区、淮上区)

丽江市(永胜县、古城区、华坪县、宁蒗彝族自治县、玉龙纳西族自治县)

武汉市(东西湖区、蔡甸区、汉阳区、江岸区、洪山区、江夏区、江汉区、黄陂区、新洲区、武昌区、汉南区、硚口区、青山区)宜昌市(点军区、枝江市、伍家岗区、当阳市、西陵区、兴山县、秭归县、五峰土家族自治县、远安县、夷陵区、宜都市、长阳土家族自治县、猇亭区)

临夏回族自治州(广河县、永靖县、康乐县、临夏县、东乡族自治县、临夏市、和政县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县)  儋州市

揭阳市(普宁市、揭西县、惠来县、榕城区、揭东区)

石嘴山市(平罗县、大武口区、惠农区)

马鞍山市(博望区、和县、含山县、花山区、当涂县、雨山区)

北京市(延庆区、石景山区、怀柔区、门头沟区、房山区、大兴区、密云区、顺义区、朝阳区、通州区、丰台区、海淀区、平谷区、东城区、西城区、昌平区)

德州市(宁津县、陵城区、平原县、夏津县、齐河县、德城区、武城县、禹城市、庆云县、临邑县、乐陵市)

南昌市(安义县、新建区、进贤县、西湖区、东湖区、红谷滩区、青山湖区、南昌县、青云谱区)

黔南布依族苗族自治州(荔波县、惠水县、平塘县、罗甸县、三都水族自治县、都匀市、贵定县、龙里县、瓮安县、长顺县、福泉市、独山县)

江门市(台山市、鹤山市、恩平市、新会区、蓬江区、开平市、江海区)

来宾市(象州县、兴宾区、忻城县、武宣县、金秀瑶族自治县、合山市)

贵港市(港南区、平南县、港北区、覃塘区、桂平市)

眉山市(洪雅县、仁寿县、东坡区、青神县、丹棱县、彭山区)

赣州市(兴国县、安远县、石城县、于都县、定南县、崇义县、瑞金市、南康区、赣县区、宁都县、信丰县、会昌县、寻乌县、章贡区、全南县、龙南市、大余县、上犹县)

苏州市(吴中区、虎丘区、常熟市、吴江区、姑苏区、相城区、昆山市、张家港市、太仓市)

嘉峪关市

大理白族自治州(南涧彝族自治县、大理市、祥云县、永平县、漾濞彝族自治县、鹤庆县、弥渡县、洱源县、剑川县、宾川县、云龙县、巍山彝族回族自治县)

随州市(广水市、随县、曾都区)

呼伦贝尔市(鄂伦春自治旗、扎兰屯市、陈巴尔虎旗、根河市、扎赉诺尔区、鄂温克族自治旗、莫力达瓦达斡尔族自治旗、额尔古纳市、新巴尔虎左旗、牙克石市、新巴尔虎右旗、满洲里市、阿荣旗、海拉尔区)

宿州市(灵璧县、埇桥区、萧县、泗县、砀山县)

临沧市(耿马傣族佤族自治县、沧源佤族自治县、镇康县、云县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、凤庆县、临翔区、永德县)

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果洛藏族自治州(玛多县、玛沁县、久治县、甘德县、达日县、班玛县)

大兴安岭地区(塔河县、漠河市、呼玛县)

广元市(朝天区、青川县、苍溪县、旺苍县、剑阁县、昭化区、利州区)

毕节市(赫章县、织金县、大方县、黔西市、金沙县、七星关区、威宁彝族回族苗族自治县、纳雍县)  湛江市(遂溪县、吴川市、廉江市、坡头区、霞山区、徐闻县、麻章区、雷州市、赤坎区)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿合奇县、阿图什市、乌恰县、阿克陶县)

枣庄市(台儿庄区、峄城区、薛城区、市中区、山亭区、滕州市)

通化市(集安市、东昌区、柳河县、二道江区、辉南县、梅河口市、通化县)淄博市(张店区、周村区、博山区、淄川区、沂源县、临淄区、桓台县、高青县)

张掖市(甘州区、肃南裕固族自治县、山丹县、临泽县、高台县、民乐县)  珠海市(香洲区、斗门区、金湾区)

邯郸市(肥乡区、邯山区、丛台区、广平县、涉县、曲周县、磁县、峰峰矿区、魏县、大名县、成安县、复兴区、永年区、鸡泽县、馆陶县、武安市、邱县、临漳县)

兰州市(西固区、城关区、安宁区、七里河区、榆中县、永登县、皋兰县、红古区)

秦皇岛市(青龙满族自治县、昌黎县、北戴河区、抚宁区、山海关区、卢龙县、海港区)永州市(江永县、新田县、道县、东安县、蓝山县、双牌县、宁远县、冷水滩区、零陵区、祁阳市、江华瑶族自治县)

长治市(上党区、襄垣县、长子县、黎城县、屯留区、平顺县、壶关县、潞城区、潞州区、沁源县、武乡县、沁县)

三明市(泰宁县、大田县、将乐县、宁化县、清流县、永安市、尤溪县、沙县区、三元区、明溪县、建宁县)

邵阳市(邵东市、绥宁县、隆回县、北塔区、洞口县、城步苗族自治县、大祥区、武冈市、邵阳县、新邵县、新宁县、双清区)

烟台市(龙口市、蓬莱区、福山区、芝罘区、栖霞市、海阳市、牟平区、莱山区、招远市、莱州市、莱阳市)

嘉兴市(桐乡市、南湖区、嘉善县、秀洲区、海宁市、平湖市、海盐县)

淮安市(淮安区、淮阴区、涟水县、洪泽区、盱眙县、清江浦区、金湖县)

商丘市(睢县、梁园区、虞城县、睢阳区、宁陵县、永城市、民权县、夏邑县、柘城县)

北海市(铁山港区、银海区、合浦县、海城区)

哈尔滨市(呼兰区、延寿县、依兰县、平房区、道外区、松北区、道里区、香坊区、南岗区、双城区、通河县、巴彦县、尚志市、阿城区、五常市、方正县、宾县、木兰县)

滨州市(无棣县、博兴县、沾化区、邹平市、惠民县、阳信县、滨城区)

清远市(连州市、连南瑶族自治县、阳山县、连山壮族瑶族自治县、英德市、清城区、佛冈县、清新区)

玉树藏族自治州(玉树市、曲麻莱县、治多县、囊谦县、称多县、杂多县)

金昌市(金川区、永昌县)

遵义市(务川仡佬族苗族自治县、余庆县、正安县、绥阳县、汇川区、凤冈县、习水县、湄潭县、赤水市、桐梓县、播州区、道真仡佬族苗族自治县、仁怀市、红花岗区)

防城港市(防城区、港口区、上思县、东兴市)

十堰市(丹江口市、房县、竹溪县、竹山县、郧阳区、张湾区、郧西县、茅箭区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。