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保山市(腾冲市、隆阳区、龙陵县、施甸县、昌宁县)

上海市(杨浦区、静安区、闵行区、崇明区、黄浦区、虹口区、长宁区、普陀区、松江区、浦东新区、嘉定区、宝山区、奉贤区、徐汇区、青浦区、金山区)

菏泽市(牡丹区、鄄城县、巨野县、郓城县、单县、曹县、成武县、定陶区、东明县)

湘西土家族苗族自治州(花垣县、凤凰县、泸溪县、龙山县、吉首市、永顺县、保靖县、古丈县)  阿里地区(改则县、革吉县、普兰县、日土县、措勤县、噶尔县、札达县)

广安市(前锋区、武胜县、广安区、岳池县、华蓥市、邻水县)

鄂州市(鄂城区、华容区、梁子湖区)

贵港市(桂平市、港南区、港北区、平南县、覃塘区)聊城市(冠县、东阿县、莘县、阳谷县、东昌府区、临清市、高唐县、茌平区)

西宁市(大通回族土族自治县、城东区、城西区、湟中区、城中区、城北区、湟源县)  黔南布依族苗族自治州(荔波县、都匀市、长顺县、三都水族自治县、平塘县、贵定县、福泉市、罗甸县、瓮安县、龙里县、独山县、惠水县)

日喀则市(萨嘎县、白朗县、仲巴县、定结县、萨迦县、仁布县、亚东县、江孜县、桑珠孜区、谢通门县、岗巴县、南木林县、拉孜县、昂仁县、聂拉木县、康马县、定日县、吉隆县)

邯郸市(魏县、广平县、涉县、曲周县、邯山区、复兴区、鸡泽县、临漳县、永年区、馆陶县、成安县、峰峰矿区、磁县、大名县、丛台区、肥乡区、武安市、邱县)

台州市(温岭市、黄岩区、仙居县、临海市、玉环市、路桥区、椒江区、三门县、天台县)

三亚市(天涯区、崖州区、海棠区、吉阳区)

佛山市(顺德区、高明区、禅城区、三水区、南海区)

佳木斯市(抚远市、桦南县、郊区、同江市、向阳区、东风区、前进区、汤原县、富锦市、桦川县)

安阳市(内黄县、汤阴县、文峰区、安阳县、北关区、殷都区、滑县、龙安区、林州市)

益阳市(桃江县、沅江市、赫山区、资阳区、安化县、南县)

宜宾市(兴文县、翠屏区、屏山县、长宁县、珙县、江安县、南溪区、高县、叙州区、筠连县)

临夏回族自治州(临夏市、康乐县、和政县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、广河县、永靖县、临夏县、东乡族自治县)

邢台市(信都区、任泽区、柏乡县、广宗县、威县、内丘县、临西县、隆尧县、沙河市、临城县、新河县、南宫市、清河县、巨鹿县、南和区、平乡县、宁晋县、襄都区)

武威市(古浪县、凉州区、民勤县、天祝藏族自治县)

德阳市(罗江区、广汉市、中江县、绵竹市、什邡市、旌阳区)

沈阳市(和平区、苏家屯区、康平县、铁西区、皇姑区、浑南区、法库县、新民市、于洪区、大东区、沈河区、辽中区、沈北新区)

深圳市(光明区、宝安区、罗湖区、坪山区、龙华区、南山区、盐田区、福田区、龙岗区)

银川市(永宁县、兴庆区、灵武市、金凤区、西夏区、贺兰县)

邵阳市(新邵县、邵东市、邵阳县、绥宁县、隆回县、新宁县、双清区、洞口县、武冈市、城步苗族自治县、北塔区、大祥区)

海南藏族自治州(贵德县、共和县、贵南县、同德县、兴海县)

七台河市(勃利县、新兴区、桃山区、茄子河区)

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威海市(文登区、乳山市、环翠区、荣成市)

陇南市(礼县、徽县、西和县、成县、两当县、宕昌县、武都区、康县、文县)

昆明市(嵩明县、东川区、西山区、富民县、盘龙区、五华区、官渡区、晋宁区、寻甸回族彝族自治县、宜良县、呈贡区、石林彝族自治县、禄劝彝族苗族自治县、安宁市)

迪庆藏族自治州(德钦县、维西傈僳族自治县、香格里拉市)  鸡西市(鸡东县、鸡冠区、麻山区、滴道区、密山市、梨树区、恒山区、城子河区、虎林市)

天水市(甘谷县、清水县、武山县、秦州区、麦积区、张家川回族自治县、秦安县)

呼和浩特市(新城区、武川县、回民区、土默特左旗、清水河县、和林格尔县、托克托县、赛罕区、玉泉区)

长沙市(芙蓉区、岳麓区、望城区、天心区、长沙县、雨花区、开福区、浏阳市、宁乡市)郑州市(登封市、巩义市、新郑市、上街区、惠济区、中原区、二七区、荥阳市、新密市、中牟县、管城回族区、金水区)

通化市(辉南县、柳河县、集安市、梅河口市、通化县、二道江区、东昌区)  潮州市(饶平县、湘桥区、潮安区)

池州市(贵池区、青阳县、东至县、石台县)

毕节市(赫章县、纳雍县、金沙县、织金县、七星关区、黔西市、大方县、威宁彝族回族苗族自治县)

泉州市(德化县、晋江市、泉港区、安溪县、惠安县、鲤城区、丰泽区、南安市、金门县、永春县、石狮市、洛江区)盘锦市(兴隆台区、大洼区、双台子区、盘山县)

济南市(钢城区、历城区、市中区、商河县、历下区、章丘区、平阴县、长清区、槐荫区、莱芜区、天桥区、济阳区)

安康市(旬阳市、汉滨区、平利县、岚皋县、宁陕县、紫阳县、汉阴县、镇坪县、白河县、石泉县)

黄山市(祁门县、黟县、徽州区、黄山区、休宁县、屯溪区、歙县)

大理白族自治州(云龙县、鹤庆县、永平县、祥云县、南涧彝族自治县、大理市、洱源县、弥渡县、巍山彝族回族自治县、宾川县、剑川县、漾濞彝族自治县)

北京市(大兴区、房山区、西城区、顺义区、朝阳区、延庆区、密云区、昌平区、通州区、门头沟区、丰台区、东城区、石景山区、平谷区、海淀区、怀柔区)

汕头市(南澳县、濠江区、龙湖区、潮阳区、金平区、潮南区、澄海区)

双鸭山市(四方台区、友谊县、宝山区、集贤县、饶河县、尖山区、宝清县、岭东区)

阿拉善盟(额济纳旗、阿拉善左旗、阿拉善右旗)

澳门特别行政区

酒泉市(肃州区、敦煌市、阿克塞哈萨克族自治县、玉门市、瓜州县、肃北蒙古族自治县、金塔县)

白银市(景泰县、会宁县、白银区、平川区、靖远县)

山南市(措美县、曲松县、琼结县、贡嘎县、浪卡子县、桑日县、隆子县、扎囊县、乃东区、错那市、加查县、洛扎县)

怒江傈僳族自治州(福贡县、贡山独龙族怒族自治县、兰坪白族普米族自治县、泸水市)

固原市(彭阳县、隆德县、原州区、西吉县、泾源县)

儋州市

广元市(苍溪县、昭化区、剑阁县、朝天区、旺苍县、利州区、青川县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。