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巴音郭楞蒙古自治州(和静县、尉犁县、焉耆回族自治县、博湖县、若羌县、库尔勒市、和硕县、轮台县、且末县)

信阳市(罗山县、固始县、光山县、息县、潢川县、淮滨县、新县、浉河区、商城县、平桥区)

阜新市(阜新蒙古族自治县、新邱区、清河门区、细河区、海州区、太平区、彰武县)

海北藏族自治州(刚察县、海晏县、祁连县、门源回族自治县)  龙岩市(永定区、武平县、新罗区、连城县、漳平市、长汀县、上杭县)

钦州市(钦北区、浦北县、灵山县、钦南区)

西安市(鄠邑区、长安区、灞桥区、莲湖区、雁塔区、高陵区、周至县、阎良区、蓝田县、未央区、新城区、临潼区、碑林区)

广元市(昭化区、苍溪县、青川县、旺苍县、利州区、剑阁县、朝天区)

汕头市(龙湖区、潮南区、南澳县、澄海区、潮阳区、金平区、濠江区)  昆明市(禄劝彝族苗族自治县、盘龙区、西山区、官渡区、呈贡区、富民县、嵩明县、晋宁区、寻甸回族彝族自治县、石林彝族自治县、东川区、五华区、安宁市、宜良县)

本溪市(溪湖区、明山区、本溪满族自治县、桓仁满族自治县、平山区、南芬区)

郴州市(安仁县、桂东县、北湖区、桂阳县、资兴市、嘉禾县、苏仙区、汝城县、临武县、宜章县、永兴县)

铜川市(印台区、耀州区、王益区、宜君县)

安阳市(滑县、北关区、殷都区、汤阴县、龙安区、内黄县、安阳县、林州市、文峰区)

海南藏族自治州(共和县、兴海县、贵南县、贵德县、同德县)

阳江市(阳春市、江城区、阳东区、阳西县)

攀枝花市(西区、米易县、仁和区、盐边县、东区)

淮南市(田家庵区、寿县、凤台县、潘集区、大通区、谢家集区、八公山区)

延边朝鲜族自治州(延吉市、龙井市、图们市、安图县、汪清县、敦化市、珲春市、和龙市)

呼和浩特市(回民区、新城区、清水河县、土默特左旗、托克托县、武川县、玉泉区、赛罕区、和林格尔县)

上海市(杨浦区、崇明区、浦东新区、静安区、虹口区、闵行区、黄浦区、长宁区、普陀区、松江区、徐汇区、宝山区、青浦区、金山区、嘉定区、奉贤区)

三亚市(天涯区、吉阳区、崖州区、海棠区)

石嘴山市(平罗县、惠农区、大武口区)

忻州市(静乐县、定襄县、宁武县、偏关县、五寨县、原平市、代县、繁峙县、岢岚县、神池县、五台县、河曲县、忻府区、保德县)

绵阳市(安州区、北川羌族自治县、三台县、江油市、盐亭县、涪城区、游仙区、平武县、梓潼县)

昭通市(巧家县、镇雄县、彝良县、鲁甸县、大关县、永善县、昭阳区、盐津县、威信县、水富市、绥江县)

西双版纳傣族自治州(景洪市、勐海县、勐腊县)

秦皇岛市(卢龙县、山海关区、北戴河区、昌黎县、青龙满族自治县、海港区、抚宁区)

玉溪市(新平彝族傣族自治县、易门县、通海县、华宁县、江川区、红塔区、元江哈尼族彝族傣族自治县、峨山彝族自治县、澄江市)

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绥化市(安达市、肇东市、绥棱县、庆安县、兰西县、望奎县、明水县、青冈县、海伦市、北林区)

广州市(天河区、花都区、增城区、从化区、海珠区、黄埔区、越秀区、白云区、番禺区、荔湾区、南沙区)

南平市(建阳区、邵武市、武夷山市、顺昌县、延平区、浦城县、松溪县、建瓯市、光泽县、政和县)

开封市(祥符区、鼓楼区、顺河回族区、杞县、尉氏县、龙亭区、禹王台区、通许县、兰考县)  崇左市(江州区、扶绥县、凭祥市、龙州县、天等县、大新县、宁明县)

许昌市(长葛市、魏都区、襄城县、建安区、鄢陵县、禹州市)

商丘市(柘城县、夏邑县、梁园区、虞城县、永城市、宁陵县、民权县、睢县、睢阳区)

邵阳市(绥宁县、邵东市、大祥区、武冈市、双清区、邵阳县、新邵县、城步苗族自治县、北塔区、洞口县、隆回县、新宁县)惠州市(龙门县、惠城区、博罗县、惠阳区、惠东县)

嘉峪关市  平顶山市(舞钢市、宝丰县、郏县、汝州市、湛河区、石龙区、叶县、卫东区、鲁山县、新华区)

盐城市(响水县、滨海县、亭湖区、建湖县、射阳县、大丰区、盐都区、阜宁县、东台市)

聊城市(冠县、莘县、东阿县、高唐县、茌平区、阳谷县、东昌府区、临清市)

莆田市(涵江区、仙游县、秀屿区、城厢区、荔城区)长春市(宽城区、九台区、双阳区、绿园区、农安县、公主岭市、朝阳区、二道区、南关区、德惠市、榆树市)

随州市(曾都区、随县、广水市)

鸡西市(鸡东县、城子河区、滴道区、鸡冠区、恒山区、虎林市、梨树区、密山市、麻山区)

那曲市(巴青县、尼玛县、聂荣县、色尼区、双湖县、班戈县、比如县、索县、申扎县、嘉黎县、安多县)

黄石市(西塞山区、阳新县、下陆区、大冶市、黄石港区、铁山区)

通化市(二道江区、通化县、辉南县、梅河口市、柳河县、东昌区、集安市)

吐鲁番市(鄯善县、托克逊县、高昌区)

防城港市(上思县、港口区、东兴市、防城区)

遂宁市(大英县、蓬溪县、安居区、射洪市、船山区)

新疆维吾尔自治区

七台河市(茄子河区、桃山区、新兴区、勃利县)

三门峡市(义马市、渑池县、卢氏县、湖滨区、灵宝市、陕州区)

营口市(鲅鱼圈区、盖州市、站前区、老边区、大石桥市、西市区)

邯郸市(广平县、临漳县、曲周县、成安县、大名县、馆陶县、峰峰矿区、鸡泽县、磁县、涉县、魏县、邯山区、肥乡区、永年区、复兴区、丛台区、武安市、邱县)

枣庄市(薛城区、滕州市、市中区、台儿庄区、峄城区、山亭区)

宁夏回族自治区

临沂市(临沭县、兰陵县、罗庄区、蒙阴县、兰山区、平邑县、沂南县、莒南县、沂水县、河东区、郯城县、费县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。