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长春市(九台区、双阳区、农安县、榆树市、朝阳区、宽城区、德惠市、公主岭市、南关区、绿园区、二道区)

拉萨市(林周县、墨竹工卡县、曲水县、达孜区、城关区、尼木县、当雄县、堆龙德庆区)

乌海市(海勃湾区、海南区、乌达区)

邢台市(南和区、新河县、巨鹿县、信都区、广宗县、临西县、宁晋县、沙河市、清河县、南宫市、内丘县、任泽区、襄都区、平乡县、柏乡县、隆尧县、威县、临城县)  金华市(东阳市、兰溪市、婺城区、浦江县、武义县、永康市、磐安县、金东区、义乌市)

周口市(鹿邑县、淮阳区、扶沟县、西华县、太康县、川汇区、沈丘县、项城市、商水县、郸城县)

景德镇市(浮梁县、乐平市、昌江区、珠山区)

莆田市(涵江区、荔城区、仙游县、城厢区、秀屿区)

重庆市(涪陵区、奉节县、璧山区、大足区、丰都县、南岸区、酉阳土家族苗族自治县、南川区、潼南区、沙坪坝区、开州区、永川区、城口县、云阳县、武隆区、渝中区、万州区、巫溪县、巫山县、江津区、荣昌区、渝北区、黔江区、綦江区、秀山土家族苗族自治县、彭水苗族土家族自治县、九龙坡区、大渡口区、铜梁区、北碚区、石柱土家族自治县、梁平区、长寿区、巴南区、垫江县、忠县、江北区、合川区)  朔州市(山阴县、应县、朔城区、右玉县、怀仁市、平鲁区)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿合奇县、阿图什市、阿克陶县、乌恰县)

固原市(隆德县、西吉县、泾源县、原州区、彭阳县)

白银市(平川区、白银区、靖远县、会宁县、景泰县)

泉州市(惠安县、丰泽区、泉港区、德化县、石狮市、永春县、鲤城区、南安市、洛江区、安溪县、晋江市、金门县)

雅安市(天全县、石棉县、雨城区、汉源县、芦山县、荥经县、宝兴县、名山区)

恩施土家族苗族自治州(鹤峰县、巴东县、恩施市、咸丰县、来凤县、利川市、宣恩县、建始县)

香港特别行政区

玉溪市(新平彝族傣族自治县、元江哈尼族彝族傣族自治县、通海县、易门县、红塔区、峨山彝族自治县、江川区、澄江市、华宁县)

随州市(随县、广水市、曾都区)

巴中市(恩阳区、南江县、巴州区、平昌县、通江县)

开封市(尉氏县、杞县、龙亭区、禹王台区、兰考县、顺河回族区、鼓楼区、通许县、祥符区)

芜湖市(无为市、湾沚区、鸠江区、繁昌区、镜湖区、弋江区、南陵县)

宜昌市(西陵区、猇亭区、枝江市、秭归县、长阳土家族自治县、兴山县、当阳市、五峰土家族自治县、伍家岗区、远安县、宜都市、夷陵区、点军区)

包头市(青山区、石拐区、东河区、白云鄂博矿区、达尔罕茂明安联合旗、土默特右旗、九原区、固阳县、昆都仑区)

沈阳市(沈北新区、新民市、皇姑区、铁西区、苏家屯区、沈河区、浑南区、和平区、辽中区、于洪区、康平县、法库县、大东区)

天津市(蓟州区、河北区、滨海新区、武清区、宁河区、东丽区、北辰区、静海区、和平区、红桥区、津南区、南开区、西青区、宝坻区、河东区、河西区)

松原市(扶余市、乾安县、宁江区、前郭尔罗斯蒙古族自治县、长岭县)

日喀则市(岗巴县、聂拉木县、定结县、亚东县、昂仁县、南木林县、拉孜县、仁布县、康马县、白朗县、定日县、桑珠孜区、仲巴县、吉隆县、谢通门县、萨迦县、萨嘎县、江孜县)

泰安市(泰山区、宁阳县、岱岳区、东平县、新泰市、肥城市)

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红河哈尼族彝族自治州(弥勒市、屏边苗族自治县、红河县、元阳县、金平苗族瑶族傣族自治县、个旧市、开远市、绿春县、泸西县、河口瑶族自治县、蒙自市、建水县、石屏县)

南京市(玄武区、江宁区、浦口区、栖霞区、溧水区、鼓楼区、建邺区、秦淮区、六合区、雨花台区、高淳区)

宁夏回族自治区

朝阳市(凌源市、双塔区、建平县、龙城区、喀喇沁左翼蒙古族自治县、朝阳县、北票市)  攀枝花市(西区、盐边县、米易县、东区、仁和区)

延边朝鲜族自治州(敦化市、安图县、汪清县、珲春市、延吉市、龙井市、和龙市、图们市)

杭州市(萧山区、临平区、建德市、拱墅区、临安区、富阳区、滨江区、上城区、淳安县、桐庐县、余杭区、西湖区、钱塘区)

赣州市(赣县区、会昌县、定南县、兴国县、宁都县、上犹县、瑞金市、石城县、于都县、崇义县、章贡区、信丰县、大余县、南康区、全南县、安远县、寻乌县、龙南市)哈密市(伊吾县、巴里坤哈萨克自治县、伊州区)

吉安市(吉州区、遂川县、新干县、安福县、青原区、峡江县、吉安县、万安县、永丰县、井冈山市、永新县、泰和县、吉水县)  济宁市(泗水县、邹城市、汶上县、梁山县、曲阜市、鱼台县、微山县、任城区、金乡县、兖州区、嘉祥县)

济源市

张掖市(临泽县、民乐县、甘州区、高台县、肃南裕固族自治县、山丹县)

玉树藏族自治州(玉树市、称多县、杂多县、曲麻莱县、囊谦县、治多县)仙桃市(神农架林区、天门市、潜江市)

抚顺市(清原满族自治县、新宾满族自治县、东洲区、新抚区、顺城区、抚顺县、望花区)

宜宾市(南溪区、筠连县、兴文县、高县、翠屏区、屏山县、江安县、珙县、长宁县、叙州区)

海南藏族自治州(贵德县、共和县、同德县、贵南县、兴海县)

三亚市(崖州区、海棠区、天涯区、吉阳区)

厦门市(集美区、同安区、海沧区、翔安区、湖里区、思明区)

东莞市

衢州市(江山市、衢江区、龙游县、常山县、柯城区、开化县)

大庆市(肇州县、大同区、萨尔图区、杜尔伯特蒙古族自治县、红岗区、肇源县、让胡路区、龙凤区、林甸县)

兰州市(西固区、永登县、红古区、榆中县、城关区、安宁区、七里河区、皋兰县)

阜新市(阜新蒙古族自治县、新邱区、太平区、清河门区、细河区、海州区、彰武县)

绵阳市(三台县、安州区、涪城区、平武县、北川羌族自治县、梓潼县、游仙区、江油市、盐亭县)

眉山市(洪雅县、彭山区、仁寿县、丹棱县、东坡区、青神县)

晋城市(泽州县、陵川县、阳城县、高平市、城区、沁水县)

南通市(如东县、崇川区、如皋市、通州区、启东市、海安市、海门区)

安庆市(望江县、大观区、岳西县、怀宁县、迎江区、宜秀区、宿松县、潜山市、桐城市、太湖县)

株洲市(渌口区、醴陵市、芦淞区、天元区、炎陵县、石峰区、茶陵县、荷塘区、攸县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。