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巴中市(恩阳区、平昌县、巴州区、通江县、南江县)

甘南藏族自治州(夏河县、卓尼县、碌曲县、迭部县、合作市、临潭县、舟曲县、玛曲县)

乌海市(海勃湾区、海南区、乌达区)

松原市(扶余市、长岭县、前郭尔罗斯蒙古族自治县、乾安县、宁江区)  安康市(镇坪县、岚皋县、汉阴县、石泉县、旬阳市、宁陕县、紫阳县、平利县、汉滨区、白河县)

孝感市(云梦县、安陆市、孝昌县、大悟县、汉川市、应城市、孝南区)

赣州市(赣县区、南康区、安远县、章贡区、会昌县、宁都县、全南县、崇义县、寻乌县、石城县、大余县、兴国县、信丰县、龙南市、定南县、于都县、上犹县、瑞金市)

中山市阿拉善盟(额济纳旗、阿拉善右旗、阿拉善左旗)

黑河市(爱辉区、嫩江市、北安市、五大连池市、孙吴县、逊克县)  伊春市(乌翠区、铁力市、丰林县、金林区、嘉荫县、伊美区、南岔县、大箐山县、汤旺县、友好区)

烟台市(芝罘区、莱山区、莱州市、福山区、栖霞市、海阳市、龙口市、牟平区、蓬莱区、招远市、莱阳市)

太原市(阳曲县、小店区、万柏林区、迎泽区、古交市、晋源区、尖草坪区、娄烦县、清徐县、杏花岭区)

西双版纳傣族自治州(景洪市、勐海县、勐腊县)

安阳市(林州市、滑县、龙安区、北关区、汤阴县、文峰区、安阳县、内黄县、殷都区)

黄南藏族自治州(河南蒙古族自治县、尖扎县、同仁市、泽库县)

滨州市(惠民县、邹平市、滨城区、博兴县、无棣县、阳信县、沾化区)

百色市(右江区、凌云县、德保县、隆林各族自治县、那坡县、田林县、西林县、田东县、田阳区、靖西市、平果市、乐业县)

上海市(虹口区、崇明区、闵行区、宝山区、静安区、嘉定区、徐汇区、松江区、黄浦区、金山区、杨浦区、浦东新区、长宁区、奉贤区、青浦区、普陀区)

长沙市(岳麓区、雨花区、开福区、浏阳市、天心区、宁乡市、望城区、芙蓉区、长沙县)

临汾市(霍州市、洪洞县、隰县、乡宁县、曲沃县、大宁县、古县、汾西县、侯马市、蒲县、吉县、永和县、襄汾县、安泽县、尧都区、翼城县、浮山县)

红河哈尼族彝族自治州(开远市、个旧市、弥勒市、金平苗族瑶族傣族自治县、元阳县、石屏县、绿春县、红河县、泸西县、屏边苗族自治县、河口瑶族自治县、蒙自市、建水县)

潮州市(湘桥区、饶平县、潮安区)

承德市(双桥区、宽城满族自治县、承德县、围场满族蒙古族自治县、双滦区、鹰手营子矿区、平泉市、丰宁满族自治县、兴隆县、滦平县、隆化县)

天水市(甘谷县、清水县、秦安县、秦州区、张家川回族自治县、麦积区、武山县)

白银市(平川区、白银区、靖远县、景泰县、会宁县)

佳木斯市(抚远市、汤原县、向阳区、桦川县、郊区、前进区、同江市、东风区、桦南县、富锦市)

东莞市

凉山彝族自治州(金阳县、盐源县、喜德县、美姑县、会东县、会理市、布拖县、西昌市、甘洛县、越西县、普格县、宁南县、德昌县、昭觉县、雷波县、木里藏族自治县、冕宁县)

淮南市(凤台县、大通区、八公山区、田家庵区、寿县、谢家集区、潘集区)

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海东市(乐都区、循化撒拉族自治县、化隆回族自治县、互助土族自治县、平安区、民和回族土族自治县)

阜阳市(颍东区、阜南县、临泉县、颍泉区、太和县、界首市、颍州区、颍上县)

固原市(原州区、隆德县、泾源县、西吉县、彭阳县)

湛江市(遂溪县、霞山区、麻章区、坡头区、赤坎区、徐闻县、吴川市、雷州市、廉江市)  南阳市(方城县、桐柏县、内乡县、新野县、唐河县、卧龙区、邓州市、西峡县、淅川县、南召县、镇平县、宛城区、社旗县)

通辽市(开鲁县、扎鲁特旗、霍林郭勒市、奈曼旗、科尔沁左翼中旗、库伦旗、科尔沁区、科尔沁左翼后旗)

绍兴市(诸暨市、越城区、嵊州市、新昌县、柯桥区、上虞区)

防城港市(上思县、港口区、东兴市、防城区)大理白族自治州(漾濞彝族自治县、宾川县、云龙县、大理市、鹤庆县、祥云县、弥渡县、剑川县、洱源县、巍山彝族回族自治县、永平县、南涧彝族自治县)

锦州市(太和区、凌河区、义县、北镇市、古塔区、凌海市、黑山县)  南京市(秦淮区、玄武区、高淳区、雨花台区、浦口区、鼓楼区、江宁区、建邺区、六合区、溧水区、栖霞区)

林芝市(墨脱县、察隅县、波密县、朗县、巴宜区、米林市、工布江达县)

海西蒙古族藏族自治州(茫崖市、天峻县、乌兰县、都兰县、德令哈市、格尔木市)

荆州市(石首市、荆州区、松滋市、公安县、沙市区、江陵县、监利市、洪湖市)信阳市(淮滨县、新县、平桥区、息县、商城县、光山县、固始县、潢川县、罗山县、浉河区)

吴忠市(利通区、同心县、红寺堡区、盐池县、青铜峡市)

聊城市(东阿县、高唐县、临清市、阳谷县、茌平区、东昌府区、冠县、莘县)

永州市(东安县、祁阳市、宁远县、冷水滩区、零陵区、蓝山县、江华瑶族自治县、新田县、道县、双牌县、江永县)

铜陵市(义安区、郊区、铜官区、枞阳县)

菏泽市(单县、鄄城县、巨野县、东明县、曹县、牡丹区、成武县、郓城县、定陶区)

连云港市(灌云县、赣榆区、连云区、海州区、东海县、灌南县)

重庆市(大足区、巴南区、永川区、北碚区、潼南区、石柱土家族自治县、彭水苗族土家族自治县、南川区、武隆区、万州区、江北区、涪陵区、合川区、渝北区、江津区、忠县、梁平区、云阳县、南岸区、长寿区、开州区、荣昌区、垫江县、城口县、渝中区、綦江区、秀山土家族苗族自治县、大渡口区、铜梁区、巫山县、九龙坡区、沙坪坝区、巫溪县、酉阳土家族苗族自治县、丰都县、黔江区、璧山区、奉节县)

宜宾市(兴文县、南溪区、翠屏区、筠连县、叙州区、屏山县、高县、江安县、珙县、长宁县)

青岛市(即墨区、崂山区、李沧区、平度市、市北区、胶州市、黄岛区、莱西市、市南区、城阳区)

宁夏回族自治区

山南市(曲松县、扎囊县、桑日县、乃东区、错那市、洛扎县、浪卡子县、措美县、加查县、琼结县、隆子县、贡嘎县)

毕节市(织金县、大方县、金沙县、威宁彝族回族苗族自治县、赫章县、纳雍县、七星关区、黔西市)

郑州市(惠济区、登封市、中牟县、二七区、巩义市、新密市、中原区、上街区、金水区、荥阳市、新郑市、管城回族区)

枣庄市(滕州市、薛城区、峄城区、山亭区、市中区、台儿庄区)

丹东市(东港市、凤城市、宽甸满族自治县、振安区、振兴区、元宝区)

莆田市(秀屿区、城厢区、仙游县、荔城区、涵江区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。